光电式传感器概要.ppt

* 图（c）所示结构是用得最多的一种结构形式。它将感光单元、不透光的存储单元交替排列。在感光区光敏元件积分结束时，转移控制栅打开，电荷信号进入存储区。随后，在每个水平回扫周期内，存储区中整个电荷图像一次一行地向上移到水平读出移位寄存器中。接 着这一行电荷信号在读出移位寄存器中向右移位到输出器件，形成视频信号输出。这种结构的器件操作简单，但单元设计复杂，感光单元面积减小，图像清晰。 * CCD * CMOS图像传感器 CMOS图像传感器是采用互补金属-氧化物-半导体工艺制作的另一类图像传感器，简称CMOS。现在市售的视频摄像头多使用CMOS作为光电转换器件。虽然目前的CMOS图像传感器成像质量比CCD略低，但CMOS具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。随着硅晶圆加工技术的进步，CMOS的各项技术指标有望超过CCD，它在图像传感器中的应用也将日趋广泛。 CMOS视频摄像头 红外LED * 2. 斯忒藩-玻尔兹曼（Stefan-Boltzmann）定律 物体温度越高，它辐射出来的能量越大。可用下面公式表示： E ——物体在温度T 时单位面积和单位时间的红外辐射总能量； σ——斯忒藩-玻尔兹曼常数（σ＝5.6697×10-8W/m2 ? K4）； ε——比辐射率，即物体表面辐射本领与黑体辐射本领之比值， 黑体的ε＝1；一般材料的ε1。 T ——物体的绝对温度。 此式就是斯忒藩-玻尔兹曼定律。即物体红外辐射的能量与它自身的绝对温度T的四次方成正比，并与ε成正比。物体温度越高，其表面所辐射的能量就越大。 * 3. 维恩（Wien）位移定律 热辐射发射的电磁波中包含着各种波长。其辐射能谱峰值波长λm与物体自身的绝对温度 T 成反比。即 此式称为维恩位移定律。图中给出了分谱辐射出射度 Mλ与波长λ的分布与温度的关系。 峰值辐射波长随温度升高向短波方向偏移。当温度不很高时，峰值辐射波长在远红外区域。 * 三、红外探测器(传感器) 能将红外辐射量变化转换成电量变化的装置称为红外探测器（红外传感器）。 红外探测器根据热电效应和光子效应制成。前者为热探测器，后者为光子探测器。 从理论上讲，热探测器对入射的各种波长的辐射能量全部吸收，它是一种对红外光波无选择的红外传感器；但是，实际上各种波长的红外辐射的功率对物体的加热效果是不相同的。 光子探测器常用的光子效应有外光电效应、内光电效应（光生伏特效应、光电导效应）和光电磁效应。 热探测器对红外辐射的响应时间比光电探测器的响应时间要长得多。前者的响应时间一般在ms以上，而后者只有ns数量级。热探测器不需要冷却，光子探测器多数要冷却。 * 1. 热探测器 热探测器是利用入射红外辐射引起探测器的温度变化，然后利用器件的某种温度敏感特性把温度变化转换成相应的电信号；或者利用器件的某种温度敏感特性来调制电路中的电流强度的大小，从而得到相应的电信号。由此达到探测红外辐射的目的。 常用的热探测器： （1）热敏电阻型探测器 （2）热电偶型探测器（热电堆光敏器件） （3）高莱气动型探测器 （4）热释电型探测器 * 2. 光子探测器 在红外探测器中，光子探测器是应用最广、研究得最多的一种。 光子探测器是利用某些半导体材料在入射光照射下，产生光子效应，使材料电学性质发生变化，通过测量其电学性质的变化，达到测量红外辐射强弱的目的。 利用光子效应制成的红外传感器统称为光子探测器。 常用的光子探测器： 外光电探测器（PE器件），利用外光电效应的光电管和光电倍增管； 内光电探测器：光电导探测器（PC器件），光生伏特探测器（PU器 件），光磁电探测器（PEM器件）。 * 四、红外传感器的应用 红外传感器应用越来越广泛，它可以用于非接触式的温度测量，气体成分分析，无损探伤，热像检测，红外遥感、遥控以及军事目标的侦察、搜索、跟踪和通信等，红外传感器的应用前景随着现代科学技术的发展，将会更加广阔。 1. 红外测温技术 2. 红外成像 3. 红外分析 4. 红外探测器 5. 红外遥控接收电路 * 优点： 适合于远距离和非接触测量，特别适合于高速运动体、带电体、 高温、高压物体的温度测量； 响应快，一般在毫秒级甚至微秒级； 灵敏度高； 准确度高（可达0.1℃以内）； 应用广，测温范围宽（可从摄氏零下几十度到零上几千度）。 分类： 按测温工作原理分为：全辐射测温、亮度测温、比色测温。 按量程分为：低温（100℃以下）、中温（