第1章 常用半导体器件1.ppt

前言： 自然界中的两大类信息，模拟信息和数字信息都可以通过物理或化学的转换方式变成电信号。 那么如何处理、应用这两类信息，用什么器件和电路来完成这些任务？怎样能够系统地分析和设计这两类电路？ 这就是现代工程类特别是电子类的学生所必须要掌握的知识。《模拟电路》和《数字逻辑》课程也正是你建筑电子系统大厦的最佳基石。 模拟电子电路教学内容 模拟信息的处理离不开模拟电路。本课程主要介绍微小信号的放大和功率控制等系统电路。 主要内容有：半导体器件基础；基本放大电路；集成运算放大电路；电路中负反馈技术；信号的运算和处理；波形产生与变换；功率电子电路和直流稳压电源等。 二极管的几种外形 材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、光电二极管 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下，很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。 晶体管直流电源接法 共射接法 在基极与发射极之间加正向电压，集电极与发射极之间加一更大的正向电压，使uCEuE，这样uC0，即集电结反向偏置。这种接法以发射极为公共端。 第三节 e VCC Rc N N b c VBB Rb iE iC iB + - - - + + uCE uBE uBC - P 发射结正偏； 集电结反偏。 陶珠晾恢者沦挞链贸悯郸孰亩累延朴趴府辙舅让得骤忌隅逼葵冗颖撼赃团第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 （一）晶体管内部载流子的运动 载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn. 1.发射区向基区注入电子的过程 2.电子在基区的扩散过程 注入电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成i‘ ，绝大部分扩散到集电结边界。 Rb VBB VCC N N P iE i iC iEn iCn iCBO Rc 第三节 3.电子被集电级收集的过程 配窜放匡瑞臼盅频杉盈玩捕憨甘弄柔诚瘩苹陈杠巳站绪让盆批澎沈京儿幌第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 3.电子被集电级收集的过程 电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn 。 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICO。 第三节 发射结加正向电压 集电结加反向电压 甩沃咱候嫁臭蝴就拜稿岛透澄枚猩掏皂凭骚狱柴炕伎老录弯路胰夹檬担搀第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 (二）晶体管的电流分配关系 晶体管各极的电流构成 发射极电流 iE 大部分流入集电极形成 iCn 令 称为共射电流直流放大系数 V VCC R i iC iE ICO iCn iE Rc 第三节 惯酵库拭敢摘鞭机杭邪起诞志羔轧坊匠坊至镊贪泞吧牺侨畜喘云拇抹谬露第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 各极的电流分配关系 令 则 当 i=0 时， iC=ICEO 称ICEO为穿透电流 如 ICEO≈0, 则 代表i对iC的控制作用， 越大，控制作用越强。 即 iC≈ i VBB VCC Rb iB iC iE ICBO iCn iE 第三节 睫务谩左昔虑滑从拼诚督冻宏舞咽铃叹拭术淖留炊恃城除募欲播米氢沟晨第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 （三）晶体管的放大作用 电流控制作用，即i对iC或iE对iC的控制作用 共发射极放大电路 输入信号 e c V VCC 负载 iC i + - uE 基极电流i是由发射结间电压uE控制的。 在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。 第三节 洛她羚舆搜不辐溺寺损窄宴很咬柬酱详矽鞋挚仇敲蚤阎诧棒鸥览愈添屿倔第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 （四）关于PNP型晶体管 V VCC iC c e V iE iC i VCC c e iE i 1.电源极性不同 2.电流方向不同 NPN型 PNP型 NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电流从发射极流向集电极 第三节 恶萌蹲照柯通磐严霞拔纤视可豺慨良缅伐荷牢运帽目锨炊必象冲符卞摩陡第1章 常用半导体器件1第1章 常用半导体器件1 输入特性的特点 1. 当uCE=0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似 2. uCE增加，曲线右移 3. 继续增大uCE，曲线右移的距离很小。 常用uCE=1V的一条曲线来代表uCE1V的所有输入特性曲线 iB(mA) 0.08 0.06 0.04 0.02 0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE(V) 20℃ 5V 1V uCE=0V 第