德国NanoFocus共聚焦显微镜在半导体方面的独特应用.docVIP

半导体器件制程---从晶柱到IC 德国Nanofocus共聚焦显微镜在半导体应用的独特优势 半导体器件（晶体管或IC）是经过以下步骤制造出来的： 一．从Si单结晶晶柱制造出晶圆的制程； 二．前道制程：在晶圆上形成半导体芯片的制程； 三．后道制程：将半导体芯片封装为IC的制程。 在每一步骤，nanofocus专业的三维形貌检测技术都能提供精确可靠快速的测试结果。 ?一、【Si晶圆的制造工程】? ：从圆柱形的硅单结晶晶柱切出圆盘状的晶圆，并将其表面磨光，如同镜面一样。 第一步、从硅单结晶晶柱切出晶圆状的晶圆（切成薄片：Slicing）? 将圆柱状的Si单结晶晶柱贴在支撑台上，再使带有钻石粒的内圆周刀刃旋转，就可切出圆盘状的晶圆。 利用nanofocus μsurf系列的专利多孔转盘共聚焦技术结合针对刀具测量的专用算法，可以对刀刃部分的大倾角部分进行3D测量分析。 第二步、Si晶圆的表面抛光（研磨-精磨：Polishing） 如果想制造缺陷少的器件，需要将Si晶圆表面用机械或化学方法加以抛光成镜面，以去除表面的缺陷层。在此可使用nanofocus μsurf custom结合原子力探针实现对wafer表面上三维均实现高精度（亚纳米）粗糙度测量，用于评定抛光效果；同时可选用色散传感器完成对整个wafer的TTV，Flatness，Bow和Warp的测量。 二、【前道制程】：反复进行黄光微影、蚀刻及杂质扩散的工程，以制造半导体芯片。 第一步、气相成长 在完成镜面研磨的晶圆表面（单结晶硅基板）形成气相沉积层。 Nanofocus多种传感器可进行层厚度检测。 第二步、选择性的掺杂物扩散 运用类似照相技术的微影方法，可选择性地扩散掺杂物质而在部分区域制造想要的极性与杂质浓度。通过重复这个过程可制造所需求的半导体器件。 第三步、蒸镀电极金属 将铝、铜等蒸镀在晶圆表面形成电极及配线。 Nanofocus可进行形貌，高度，角度等测量。 三、【后道制程】：这是从晶圆切割芯片，并承载在导线架上，再用导线与引线连接，然后用塑膜树脂包装IC芯片，并进行测试且去除不良品的工程。 第一步、切片（dicing） ?将制造在晶圆上的半导体器件，以且有钻石刀刃的切割刀将晶圆切割为各个芯片。 Nanofocus可对切割刀具进行检测，亦可用于检测芯片缺陷（如崩口，划痕形貌等）。 第二步、芯片安装（chip mount）及金属连接（bonding） 将芯片装置安装在导线架上。接着，用金线、铝线等将芯片的电极与引线连接。 Nanofocus可用于焊球，金线高度，芯片形貌测量。 第三步、封装（packaging） 为了增加机械强度，用环氧树脂等将结合线、半导体芯片等封装起来。 第四步、测试筛检 最后用测试仪表测定并判断其电气特性，并去除不良品。 专业术语 前道Front End：指在晶圆上形成器件的工艺过程，包括扩散，注入等等  后道Back End：指将晶圆上的器件分离，封装的工艺过程 晶圆Wafer：半导体物质(如纯硅)小薄圆片，在上面可以形成一个个完整电路 晶粒Die ：晶圆上的小颗粒，经过处理后具有特殊电性用途 晶片、芯片Chip ：切割封装好的半导体电子元件 篇幅所限，如需了解进一步信息，请至上海曼戈斐光学官网的联系方式与我们的产品经理联系！