双极晶体管的单管结构及工作原理演示文件修改版.pptVIP

双极晶体管的单管结构及工作原理 双极器件：两种载流子（电子和空穴）同时参与导电 正向工作区 发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1） 具有电流放大作用： 1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。 2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。 3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为0.3V，深饱和时VCES达0.1～0.2V。 当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约0.02）。 场区寄生MOSFET 寄生双极晶体管 寄生PNPN效应（闩锁（Latch up）效应） 场区寄生MOSFET 寄生双极晶体管 寄生PNPN效应（闩锁（ Latch up ）效应） 作业 1.分析集成双极晶体管的有源寄生效应，说明器件工作于何种状态下寄生效应不可忽略，为什么？ 2.P48 2.7 VG=0 VS=0 VD=0 栅极电压为零时，存储在 源漏极中的电子互相隔离 VGS0时，沟道出现耗尽区， 至VGS VTH时，沟道反型，形成了连接源漏的通路。 + + + + + + + + VG VD 电流 S VDS较小时，沟道中任何一处电压的栅－沟道电压都大于阈值电压，随着VDS的增大，电场强度增大，电子漂移速度增大，因此电流随着VDS的增大而增大。（线性区，非饱和区） 随着VDS进一步增大至VDS=VGS-VTH(即VGDVTH)时，靠近漏端边缘的沟道出现夹断，晶体管进入饱和区。随着VDS的增大，夹断区向源区移动，电压的增加主要降落在夹断点至漏端边缘的高阻区，沟道电子被横向强电场拉至漏极，漏源电流基本上不随VDS的增大而变化。 VD ID 非饱和区 饱和区 VG N沟MOSFET的输出特性曲线 §2.6 MOS集成电路中的有源寄生效应 n+ p substrate n+ L n+ p substrate n+ L 措施：1.加厚场氧化层的厚度 2.增加场区注入工序 n+ p substrate n+ L n+ p substrate n+ L 防止措施：1.增大寄生晶体管“基区宽度” 2.P型衬底接地或负电位 P-well P+ P+ N+ N+ Vout Vdd(5V) N+ P+ Vss(0V) RS RW P阱 RS RW Vdd Vss N衬底 消除措施： 1. 减小RS,RW（增加接触孔数量，加粗电源、地线,双阱工艺） 2.降低寄生三极管电流放大倍数 N * 发射区N+ 集电区 N 基区P 发射结 收集结 发射极 集电极 基极 B E C n p N+ 结构特点：1. 发射区掺杂浓度最大，基区次之，集电极最小 2.基区宽度很窄 N N P E C B 当发射结正偏（VBE0)，集电结反偏（VBC0)时，为正向工作区。 电子流 空穴流 Ie=Ic+Ib 令 则 共基极短路电流增益 共射极短路电流增益 当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。 N N P E C B 当发射结反偏（VBE0),集电结也反偏（VBC0)时，为截止区。 N N P E C B 反向工作区 共发射极的直流特性曲线 三个区域： 饱和区 放大区 截止区 2.2 理想本征集成双极晶体管的EM模型 P-Si N-Si I V A:结面积, D:扩散系数,L:扩散长度, pn0,np0:平衡少子寿命 热电压. T=300K,约为26mv 正方向 V I(mA) ISO 一结两层二极管(单结晶体管) + - VD 正向偏置 - + 反向偏置 二极管的等效电路模型 两结三层三极管(双结晶体管) N P N B E C IE IC IB IDE IDC V1 V2 理想本征集成双极晶体管的EM模型 假设p区很宽，忽略两个PN结的相互作用，则： 实际双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 基区宽度远远小于少子扩散长度，相邻PN结之间存在着相互作用 发射区 集电区 基区 发射结 收集结 发射极 集电极 基极 两结三层三极管(双结晶体管) 理想本征集成双极晶体管的EM模型 N P N B E C IE IC IB I1 I2 V1 V