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集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (上) 净化的三个层次： 上节课主要内容 净化级别 高效净化 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层 强氧化 天然氧化层 HF:DI H2O 本征吸杂和非本征吸杂 环境、硅片清洗、吸杂 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 光刻的作用和目的 图形的产生和布局 35％的成本来自于光刻工艺 光刻的要求 图形转移技术组成： 掩膜版/电路设计 掩膜版制作 光刻 光源 曝光系统 光刻胶 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低） 空间图像 潜在图像 掩膜版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版 投影式光刻 ×1掩膜版制作 接触式、接近式光刻 电子束直写 熔融石英玻璃片 80nmCr 10～15nmARC（anti-reflection coating） 光刻胶 高透明度（散射小） 热膨胀小 ×4或×5投影光刻版在 制版时容易检查缺陷 版上缺陷可以修补 蒙膜(pellicle)保护防止颗粒玷污 掩模版制作过程 12. Finished 成品率Y: D0:单位面积缺陷数， Ac: 芯片面积， N: 掩膜版层数 三种硅片曝光模式及系统 接触式 接近式 投影式 1:1曝光系统 扫描投影式光刻机原理图 1:1曝光系统 步进投影式光刻机原理图 10:1 5:1 1:1 步进扫描光刻机 DSW－direct step on wafer 接触式和接近式——近场衍射（Fresnel） 像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统 曝光系统 接触和接近式 Fresnel衍射理论适用的间隔范围： 最小分辨尺寸 g＝10 mm， ?＝365 nm（i线）时， Wmin?2 mm 投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头 爱里斑 瑞利给出恰可分辨两个物点的判据： 点物S1的爱里斑中心恰好与另一个点物S2的爱里斑 边缘（第一衍射极小）相重合时，恰可分辨两物点。 S1 S2 S1 S2 S1 S2 可分辨 不可分辨 恰可分辨 100% 73.6% 分辨率 两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据): 数值孔径：收集衍射光的能力。n为折射率 分辨率 k1=0.6-0.8 提高分辨率： NA?，??，k1? 理论计算人眼爱里斑~20?m 分辨率：100 ?m n 投影式 基本参数： 分辨率(resolution) 焦深(depth of focus) 视场(field of view) 调制传递函数(MTF—modulation transfer function) 套刻精度(alignment accuracy) 产率(throughput) …… 光学系统决定 机械设计 ?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据： ? 很小时， 焦深 NA?，焦深? ? 焦深 焦深 像平面 光刻胶 IC技术中，焦深只有1mm，甚至更小 调制传递函数MTF－－对比度 一般要求MTF0.5 与尺寸有关 MTF与光的部分相干度S S= 光源直径s 聚光镜直径d S增加，越来越不相干 一般S＝0.5-0.7 或 S= NA聚光光路 NA投影光路 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (上)