lq1半导体器件解说.pptVIP

第1章 半导体器件 §1.1.1 本征半导体 §1.1.1 本征半导体 §1.1.1 本征半导体 §1.1.1 本征半导体 §1.1.2 杂质半导体 1. N型半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 2. P型半导体 1. PN结的形成 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 2. PN结的单向导电性 §1.2 半导体二极管 §1.2.1 二极管的结构和类型 §1.2.2 半导体二极管的特性 §1.2.2 半导体二极管的特性 §1.2.3 二极管的主要参数 §1.2.4 半导体二极管的应用 §1.2.4 半导体二极管的应用 §1.2.4 半导体二极管的应用 §1.2.5 半导体二极管的使用常识 §1.2.5 半导体二极管的使用常识 §1.2.6 特殊二极管 1. 稳压管 1. 稳压管 1. 稳压管 1. 稳压管 例 2. 发光二极管 §1.3 晶体管 §1.3.1 晶体管的结构及类型 §1.3.2 晶体管电流分配和放大作用 §1.3.2 晶体管电流分配和放大作用 §1.3.2 晶体管电流分配和放大作用 §1.3.2 晶体管电流分配和放大作用 §1.3.2 晶体管电流分配和放大作用 §1.3.2 晶体管的特性曲线 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 2. 输出特性曲线 2. 输出特性曲线 §1.3.4 晶体管的主要参数 §1.3.4 晶体管的主要参数 §1.3.4 晶体管的主要参数 §1.3.4 晶体管的主要参数 § 1.4 场效应晶体管 §1.4.1 场效应管的特点和分类 §1.4.2 绝缘栅型场效应晶体管 1、N沟道增强型MOS管 1、N沟道增强型MOS管 1、N沟道增强型MOS管 1、N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 2、耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线 耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线 § 1.4.3 场效应晶体管的主要参数 场效应管和双极型晶体管的比较 3、动态电阻rZ 稳压管子端电压和通过其电流的变化量之比。稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压效果越好。 U(V) 0 I (mA) 反向 正向 UZ IZ IZm ?IZ ?UZ 4、最大允许耗散功耗PZM 保证稳压管不发生热击穿的最大功率损耗。 其值为稳定电压和允许的最大电流乘积 5、电压温度系数 ?U 说明稳压值受温度影响的参数。 如：稳压管2CW18的电压温度系数为0.095% / ?C 假如在20 ?C时的稳压值为11V，当温度升高到50 ?C时的稳压值将为 特别说明：稳压管的电压温度系数有正负之别。 因此选用6V左右的稳压管，具有较好的温度稳定性。 如图，通过稳压管的电流IZ等于多少？ 解： UR=20-12=8V IZ=IR=8/1.6=5mA18mA 若R1=12k?，I1=? IZ=？ R1=12k? I1=？ I1=UZ/R1=12/12=1mA IZ=IR-I1=5-1=4mA +20V IZ R=1.6k? Uz=12V IZM=18mA + DZ - IR 发光二极管简称LED(light-emitting diode) 它是一种将电能转换为光能的半导体器件。 符号如图1-13所示。 图1-13 发光二极管符号 关于发光二极管作以下说明： （1）发光二极管常用显示器件，如指示灯等。 （2）工作时加正向电压。 （4）发光二极管导通时管压降为1.8V～2.2V。 （3）要加限流电阻，工作电流一般为几毫安至十毫安，电流大，发光强。 半导体三极管(晶体管)是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。 一. 基本结构 晶体管最常见的结构有平面型和合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPN或PNP的三层两结的结构，因而有NPN和PNP两类晶体管。 其三层分别称为发射区、基区和集电区，并引出发射极(E)、基极(B)和集电极(C)三个电极。三层之间的两个PN结分别称为发射结和集电结。 本节介绍晶体管的结构、特性及参数的内容。 N型硅 P型 N型 二氧化硅保护膜 C B E 平面型结构 N型锗 铟球 铟球 P型 P型 C E B 合金型结构 N N P 集电结 发射结 集电区 发射区 基区 C B E N P P 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 C B E B E C B E C 可以互换吗？ 杂质多 尺寸大 ++ + - -- - + NPN型和PNP型晶体管的工作原理相似，本章只讨论前者。 如图，对NPN型晶体管加EB和EC两个电源，接成共发射极接法构成两个回路。