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PAGE PAGE 13 电子原件及电子电路介绍 电子原件及电子电路介绍 制作： 制作： 邹建设 邹建设 2001.6.30 2001.6.30 常用和较新的电子器件，包括分立器件的晶体二极管和三极管、场效应管、光电器件、LED LCD、固体继电器、霍尔元件以及TTL和CMOS集成电路、运算放大器、集成稳压电路、大规模集成电路、A/D及D/A较换器，接口电路、存储器（RAM EPROM EIPOM）、可编程陈列逻辑器件PAL及GAL，家用电器器件（单片收音机、收录机、黑白及彩色电视机、录象机）、阻容元件及片状元件等。 分立器件 ㈠国产半导体器件型号命名方法 中华人民共和国国家标准——半导体器件型号命名方法（GB249-74）。本标准运用于无线电子设备所用半导体器件的型号命名 表1-1所列出了半导体分立元件组成部分的符号及意义。 半导体器件的型号由五个部分组成。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用汉语拼音字母表示规格号 用汉语拼音字母表示规格号 用汉语拼音表示器件的类型用阿拉伯数字表示序号 用汉语拼音表示器件的类型 用阿拉伯数字表示序号 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 ※注：场效应器件，半导体特殊器件，复合管，PIN型管，激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。 示例1：锗PNP型高频小功率三极管 3 A G 11 C 三极管序号规格号 三极管 序号 规格号 DNP型锗材料高频小功率管高频小功率管 DNP型锗材料 高频小功率管 高频小功率管 示例2：场效应器件 规格号 CS 2 B 规格号 高频小功率管场效应器件序号 高频小功率管 场效应器件 序号 表1-1 半导体分立元件组成部分的符号及意义 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件的电极数目 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类别 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N型，锗材料 P 普通管 3 三极管 B P型，锗材料 U 微波管 C N型，硅材料 W 稳压管 D P型，硅材料 C 参量管 A PNP型，锗材料 Z 整流管 B NPN型，锗材料 L 整流堆 C PNP型，硅材料 S 隧道管 D NPN型，硅材料 N 阻尼管 E U 光电器件 K 开关管 X 低频小功率管 fa＜3MHZ P?＜1W G 高频小功率管 fa≥3MHZ P?＜1W D 低频大功率管 fa＜3MHZ P?≥1W A 高频大功率管 fa≥3MHZ P?≥1W T 可控制整流器（半导体闸流管） Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 CS 场效应器件 BT 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN型号 JG 激光器件 ㈡ 半导体二极管、稳压二极管和双基极二极管 ⒈使用二极管的注意事项： 在电路中应按注明的极性进行连接。 应根据需要正确地选择型号。同一型号的整流二极管方可串联、并联使用。在串联或并联使用时，应视实际情况决定是否需要加入均衡（串联均压、并联均流）装置（或电阻）。 引出线的焊接或弯曲处，离管壳距离不得小于10mm。为防止因焊接时过热而损坏，要使用小于60W的电烙铁，焊接时间不应超过2s~3s，并在管壳与焊接点之间保证有良好的散热。 应避免靠近发热元件，并保证散热良好，工作在高频或脉冲电路的二极管引线，要尽量短，不能用长引线或把引线弯成圈来达到散热的目的。 二极管的替换。硅管与锗管不能互相代用。替换上去的二极管其最高反向工作电压及最大整流电流不应小于被替换管。根据工作特点，还应考虑其他特性，如截止频率，结电容，开关速度等。 ⒉稳压管：稳压二极管除了广泛应用在电源装置中外，还常在电路中作稳压限幅，过载保护和开关元件等。 动态电阻RZ是稳压二极管的一个重要参数，其值随工作电流的不同而异，一般是工作电流越大，动态电阻值越小。 使用稳压二极管的注意事项： 可将任意数量的稳压管串联使用，但不得并联使用。 工作过程中，在所有的温度范围内，所用稳压管的电流与功率不允许超过极限值。 在电路中的连接，应使稳压管工作于反向击穿状态，即工作于稳压区。 稳压管的替换。必须使替换上去的稳压管的稳压电压额定值VI与原稳压管的值相同，而最大工作电流Imax则要相等或更大。 ⒊硅双基极二极管： 硅双基极管又称单结晶体管，是