施敏院士北京交通大学讲学.docVIP

施敏院士北京交通大学讲学 ——《半导体器件物理》 施敏 S.M.SZE,男，美国籍，1936年出生。台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，台湾中研院院士，中国工程院外籍院士，三次获诺贝尔奖提名。 学历：美国史坦福大学电机系博士（1963），美国华盛顿大学电机系硕士（1960），台湾大学电机系学士（1957）。 经历：美国贝尔实验室研究（1963-1989），交通大学电子工程系教授（1990-），交通大学电子与资讯研究中心主任（1990-1996），国科会国家毫微米元件实验室主任（1998-），中山学术奖（1969），IEEE J.J.EBERS奖（1993），美国国家工程院院士（1995）, 中国工程院外籍院士 (1998)。 成就： 施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。尤为重要的是他发明的非易失性电可擦除只读存储器和闪存技术，这些技术是手机、便携式计算机、数码相机以及全球定位系统等现代数字产品的核心。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标等。 施敏院士在微电子科学技术方面的著作举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面作出了重要贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的杰出成就,1991年他得到了IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。 施敏院士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。 主要论著： Physics of Semiconductor Devices, 812 pages, Wiley Interscience, New York, 1969. Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed., 868 pages, Wiley Interscience, New York, 1981. Semiconductor Devices: Physics and Technology, 523 pages, Wiley, New York, 1985. Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed., 564 pages, Wiley, New York, 2002. Fundamentals of Semiconductor Fabrication, with G. May, 305 pages, Wiley, New York, 2003 Semiconductor Devices: Pioneering Papers, 1003 pages, World Scientific, Singapore, 1991. Semiconductor Sensors, 550 pages, Wiley Interscience, New York, 1994. ULSI Technology, with C.Y. Chang,726 pages, McGraw Hill, New York, 1996. Modern Semiconductor Device Physics, 555 pages, Wiley Interscience, New York, 1998. ULSI Devices, with C.Y. Chang, 729 pages, Wiley Interscience, New York, 2000. 课程内容及参考书： 施敏教授此次来北京交通大学讲学的主要内容为《Physics of semiconductor device》中的一、四、六章内容，具体内容如下： Chapter 1: Physics and Properties of Semiconductors 1.1 Introduction 1.2 Crystal Structure 1.3 Energy Bands and Energy Gap 1.4 Carrier Concentration at Thermal Equilibrium 1.5 Carrier-Tra