基于PLC技术的光网络器件演示文件修改版.pptVIP

第三章 基于PLC技术的光网络器件 张敏明：mmz@ 万助军：zhujun.wan@ 华中科技大学光电学院 第三章 基于PLC技术的光网络器件 什么是PLC技术？ 平面光波导材料 平面光波导材料 SiO2/Si光波导工艺 玻璃光波导工艺 第三章 基于PLC技术的光网络器件 Y分支器的工作原理 Y分支器的仿真情况 基于Y分支器的Mach-Zehnder干涉器 仿真：Mach-Zehnder干涉器，相移0 仿真：Mach-Zehnder干涉器，相移π 第三章 基于PLC技术的光网络器件 定向耦合器的工作原理 模耦合方程分析 两根对称直波导之间的耦合 两根非对称直波导之间的耦合 仿真：两根对称直波导之间的光场耦合 仿真：50∶50的定向耦合器 第三章 基于PLC技术的光网络器件 多模波导中的正交模式 多模波导中的自映像特性 多模干涉耦合器 1×N和2×N多模干涉耦合器 仿真：1×2多模干涉耦合器 仿真：2×2多模干涉耦合器 仿真：1×4多模干涉耦合器 仿真：4×4多模干涉耦合器 第三章 基于PLC技术的光网络器件 基于Y分支器的数字型热光开关 基于定向耦合器的BOA型热光开关 基于MMI耦合器的干涉型热光开关 在对称型Y分支器中，光能量被平均分配到两臂中；而在非对称Y分支中，光能量主要传向折射率较大的一臂。 在对称型Y分支的两臂旁制作电极，通过加热改变波导折射率，即得到非对称Y分支。 一般采用热光系数较大的聚合物材料来制作这种热光开关，其热光系数为负，即在一臂加热，折射率降低，光能量传向另一臂。 随着驱动功率的增加，被控制的光只会从一个端口输出，而不是在两个端口之间反复切换，因此被称为数字型光开关（DOS）。 BOA―Bifurcation Optical Active 各区域模式特性和转化关系： 单模波导―基模； Y分支―偶模和奇模（相当于五层波导）； 双模波导―基模和一次模； 双模波导中的基模和一次模具有相近的传播常数，因此第二个Y分支中偶模和基模的相位关系取决于双模波导的长度： 当相位差为0时，光能量被约束在上面的单模波导中； 当相位差为π时，光能量被约束在下面的单模波导中。 在双模波导上制作加热电极，通过热光效应控制相位差，即可实现光路的切换。 基模 偶模 奇模 基模 一次模 偶模 奇模 基模 等相位 相位差取决于双模波导长度 3.1 PLC技术简介3.2 Y分支器3.3 定向耦合器3.4 多模干涉耦合器3.5 热光开关 PLC（Planar Lightwave Circuit，平面光路）―在平面衬底材料上制作芯层/包层波导结构，并以波导构成各种回路或者功能器件。 0.1 0.05 0~0.5% 1.45 Glass 0.1 0.1 0~35% 1.3~1.7 Polymer 0.5 0.1 70% 3.5 SOI 0.25 0.05 0~4% 1.45 SiO2 5 3 0~3% 3.2 InP 1 0.5 0~0.5% 2.2 LiNbO3 耦合损耗 (dB/端面) 损耗@1550nm (dB/cm) 芯层/包层 折射率差 折射率 @1550nm 材料 铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。 InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。 二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。 SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。 聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。 玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图（b）所示； 采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图（c）所示； 通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图（d）所示； 进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图（e）所示； 采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图（f）所示； 去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图（g）所示； 通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图（h）所示。 在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图（b）所示； 进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图（c）所示； 采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图（d