为何铜质散热器比铝质散热慢.docVIP

电子知识 铝质散热器(1)铜质散热器(1)散热器(62) 铜比铝吸热快,铜没有铝散热快。所以纯铜底座的散热器一般都配备高转速、大风量的风扇,增加铜底座的散热能力。厂商也借这个理念推出了塞铜、镶铜的散热器,理由是用铜迅速带走热量,然后通过铝质鳍片快速散发。 　　归根结底,“铜比铝吸热快,铜没有铝散热快”这句话的科学依据是什么呢?可能诸位能够明确说出来的就很少了,今天小编就给大家讲讲这个现象的根本原理。 　　材料 热传导率K (W/m2K) 　　银 429 　　铜 401 　　金 317 　　铝 237 　　金属热传导率对比表 　　传热系数的通俗定义是“在单位温差下,单位时间内通过单位面积的热量”,单位是J/m2ks,或者W/m2k,其中J是热量单位焦耳,m2表示面积单位平方米,K是温度单位开尔文,也可以用摄氏温标的C代替,s是时间单位秒。从上看铜的热传导系数约是铝的1.69倍,因此用铜和铝来制造相同截面积的散热器,单位时间内纯铜的比纯铝能带走更多热量,“铜比铝吸热快”,前面半句已经论证完毕。 　　材料 比热容J/kgK 　　铝 0.9 　　银 0.24 　　铜 0.39 　　金属比热容对比表 　　而后面半句“铜没有铝散热快”,事实确实如此。证明这个需要引出另一个重要热力学参数：比热。学过中学物理的人都知道比热的定义是“使单位质量的物质温度提升1度需要的热量”,单位是J/kgK。大家也从上面的表中看出铜的比热容比铝要小,铜降低1度的温度,散发的热量应该比铝小,这样说来,铜应该比铝散热快。但是大家也许没注意到铜的密度是8.9kg/m3,而铝的只有是2.7kg/m3,接近铝的3.3倍,因此制成同样体积的散热片,质量方面铜会比铝大近3.3倍,纯铜材质比纯铝材质的热容量还是大将近一半。热容量大了,散热就变得慢了。通过上述理论的说明,“铜没有铝散热快”的原因我们也找到了。 　　这样我们就从根本上明白了“铜比铝吸热快,铜没有铝散热快”的原因。以后在选择散热器的时候,可以运用此理论,如果选择纯铜散热器,应选择配备转速较高,风量较大的风扇产品,避免铜的热量散发不了,产生散热瓶颈。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。 IBIS模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。 IBIS模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA供应商现在都支持IBIS模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。 IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。 IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS模型仿真工具来读取。欲使用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够