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§5.3 晶体管的开关过程和开关时间 在延迟过程中，基极电流IB1提供的空穴有下列用途： ①给eb结充电； ②给cb结充电； ③在基区建立与0.1Ics相对应的空穴积累以及 ④补充维持这一电荷积累的复合损失。 延迟过程就是基极注入电流IB1向发射结势垒电容充电、集电结势垒电容充电、并在基区内建立起某一稳定的电荷积累的过程。 2. 延迟过程和延迟时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 延迟时间的计算将根据延迟过程中结电压和电流的变化分两个阶段，分别列出电荷控制方程和求解。 第一阶段： 基极输入正脉冲→晶体管开始导通Ic≈0 第二阶段： Ic由0→0.1Ics 实际的延迟过程 属于上升过程 2. 延迟过程和延迟时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 2. 延迟过程和延迟时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 3. 上升过程和上升时间 上升过程：延迟过程结束，基区开始积累电荷，并积累相应于Ic从0(0.1Ics)到Ics(0.9Ics)的电荷（梯度）的过程。 eb结反偏 零偏 正偏（小） cb结反偏 反偏（小） 正偏 正偏（小） 延迟 上升 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 ① 继续向发射结势垒电容充电； ② 继续向集电结势垒电容充电； ③ 增加基区电荷积累； ④ 补充基区电荷在积累过程的损失 3. 上升过程和上升时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 基区少子分布 集电极电流 0-----------------------0-----0.1Ics---------------0.9Ics-------- 发射结电压 -VBB-------------------Vjo(0.5V)----------------------0.7------------ 集电结电压 -(Vcc+VBB)------- -(Vcc-Vjo)------------------------0V-----正偏- 时间结点 0------------------------td1-----td2(t1)----- 0--------t1--------------------t2--------- 延迟时间 延迟过程 上升过程 上升时间 t0 t1 t2 td1 td2 tr 上升过程以Ic为标志，故将电荷方程变换成Ic的关系计算 式中采用了以下变换: 上升过程以Ic为标志，故将电荷方程变换成Ic的关系计算 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 4. 电荷贮存效应和贮存时间 电荷贮存效应：上升过程结束时，集电极电流接近饱和值Ics，基极复合电流为Ics/bDC（临界饱和基极电流），但实际基极电流大于此值，存在过驱动电流IBX，即基极电流除补充基区复合损失外，多余部分引起晶体管中电荷的进一步积累，形成超量存贮电荷，并导致集电结正偏，晶体管进入饱和态。 关断过程开始时，超量存贮电荷因复合和被基极电流抽取而逐渐消失，使得集电极电流不能立即对输入负脉冲作出响应。 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 4. 电荷贮存效应和贮存时间 Jnb §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 贮存时间的计算即讨论超量贮存电荷的消失 定义贮存时间常数 其中，QX为晶体管中总的超量贮存电荷。ts则是过驱动电流IBX对基区、集电区充电以形成超量贮存电荷的充电时间常数。 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 超量贮存电荷的消失 基区电荷QB的复合电流 超量贮存电荷自身复合的复合电流 基极抽取电流 4. 电荷贮存效应和贮存时间 (5-60) §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 变换（5-60）为 （5-61） 初始条件 解得 （5-62） 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 当t=ts1时，超量贮存电荷完全消失QX=0，代入(5-62) 得 （5-63） 至此，存贮过程结束，但IC尚未减小，即存贮时间的tS2将在下降过程中计算。 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 贮存时间常数tS的计算 eb结IF形成QBSF cb结IRn形成QBSR cb结IRp形成QCS 基区总电荷QBS=QBSF+QBSR IBS对应的QB 晶体管中总的超量存贮电荷为 QX=QBSF+QBSR+QCS-Qb 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3 晶体管的开关过程和开关时间 4. 电荷贮存效应和贮存时间 §5.3