07-zch02、半导体二极管及其应用电路3.ppt

* 2.4 特殊二极管 2.4.1 稳压二极管 2.4.2 光电二极管 2.4.3 发光二极管 2.4.4 激光二极管 * 1. 稳压管及其稳压作用 2. 稳压管的主要参数 (1) 稳定电压VZ (2) 稳定电流IZ (3) 动态电阻rZ （a） （b） 图2.4.1 稳压管电路符号与伏安特性（a）电路符号 （b）伏安特性 (4) 额定功耗PZ (5) 稳定电压的温度系数K 2.4.1 稳压二极管 2.4 特殊二极管 * 例2.4.1 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 不加R可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ （1）.设电源电压波动(负载不变) VI↑→VO↑→VZ↑→ IZ↑ ↓ VO↓←VR ↑ ← IR ↑ （2）.设负载变化(电源不变) 略 * 图2.4.3 光电二极管（a）电路符号 （b）等效电路 （c）特性曲线 2.4.2 光电二极管 2.4 特殊二极管 * 图2.4.4 发光二极管的电路符号 图2.4.5 光隔离器电路 2.4.3 发光二极管 2.4 特殊二极管 * （4）小信号模型 此电路可以看成静态（直流通路）＋动态（交流通路）： 注意1：二极管电路的求解实际上使用了叠加定理 注意：二极管电路的求解实际上使用了叠加定理 * 如何判断二极管在电路中是导通的还是截止的 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 若电路出现两个或两个以上二极管，应先判断承受正向电压较大的管子优先导通，再按照上述方法判断其余的管子是否导通。 根据二极管两端加的是正电压还是反电压判定二极管是否导通，若为正电压且大于阈值电压，则管子导通，否则截止； * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * * 扩散与漂移的平衡：温度升高-少子浓度升高-漂移电流增大，因此，平衡时，内电场较小 模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 陈大钦 主编 华中科技大学电信系 * 模拟电子技术基础 第1章 绪论 第2章 半导体二极管及其应用电路 第3章 半导体三极管及其放大电路基础 第4章 多级放大电路及模拟集成电路基础 第5章 信号运算电路 第6章 负反馈放大电路 第7章 信号处理与产生电路 第8章 场效应管及其放大电路 第9章 功率放大电路 第10章 集成运算放大器 第11章 直流电源 2 半导体二极管及其应用电路 2.1 PN结的基本知识 2.2 半导体二极管 2.3 二极管应用电路 2.4 特殊二极管 * 2.1 PN结的基本知识 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1.2 杂质半导体 2.1.3 PN结及其单向导电性 2.1.4 PN结电容 半导体: 导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 导电的 重要特点 1、其能力容易受环境因素影响（温度、光照等） 2、掺杂可以显著提高导电能力 原子结构 简化模型 * 图2.1.1 本征半导体的共价键结构 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1 PN结的基本知识 1. 本征半导体 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 在T=0K和无外界激发时，没有载流子，不导电 原子结构 简化模型 * 温度? 光照 自由电子 空穴 本征激发 空穴 — 共价键中的空位 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 由热激发或光照而产生 自由电子和空穴对。 温度? ? 载流子浓度? ＋ 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1 PN结的基本知识 2. 本征激发 复合－本征激发的逆过程 载流子: 自由移动带电粒子 * 图2.1.3 N型半导体的共价键结构 2.1.2 杂质半导体 2.1 PN结的基本知识 图2.1.4 P型半导体的共价键结构 1. N型半导体 掺入少量的五价元素磷P 2. P型半导体 掺入少量的三价元素硼B 自由电子是多数载流子（简称多子） 空穴是少数载流子（简称少子） 空穴是多数载流子 自由电子为少数载流子。 空间电荷 * 掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/c