模拟电路计算题.docVIP

1、放大电路如图1所示,若VCC =12V，Rc =5.1kΩ， Rb=400 kΩ，Re1 =100 Ω， Re2=2kΩ，RL =5.1 kΩ，b=50， (1)、求静态工作点； (2)、画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri 和Ro 。 2、放大电路如图2所示， （1）画出电路的小信号等效电路； （2）写出计算电压放大倍数 和的表达式； （3）画出当Rc=Re时的两个输出 电压和的波形（与正弦波相对应）。 3、如图3所示，设,，,，。。试求： （1）Q点； （2）电压增益和 （3）输入电阻； （4）输出电阻 4、三极管放大电路如图4所示。 已知：rbb’=300Ω，β=49，VBEQ=0.7V RC=6.4KΩ，RL=6.4KΩ，RE=2.3KΩ （1）画出其微变等效电路 （2）计算电压放大倍数Au （3）计算输出电阻Ro 图16 图16 图4 5、电路如图5所示，已知VT=2V，IDO=1mA，gm=30mS。 电容足够大，其它参数如图所示。 求：（1）电路的静态工作点； （2）画出低频小信号等效模型； （3）中频电压增益、输入电阻、输出电阻。 图 图5 VDD 12V Rs 2K vi Rg2 2M Rg1 2M Rd 2K vo RL 2K C1 C2 C3 6、电路如图6，已知，，VBEQ=0.7V， VCC=12V， ，， （1）、估算电路的静态工作点：IBQ，ICQ，VCEQ； （2）、计算交流参数AV 、Ri、Ro值； （3）、如输出电压信号产生顶部失真，是截止失真 还是饱和失真，应调整那个元件值，如何调？ （4）、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。 7、电路如图7所示，已知晶体管b＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降VCES＝0.5V。 （1）、正常情况； （2）、Rb1短路； （3）、Rb1开路； （4）、Rb2开路； （5）、RC短路。 8、电路如图8（a）所示，其中电容C1、C2的容量视为无限大。试回答下列问题： （1）写出直流负载线表达式，在图8（b）上画出直流负载线，求出静态工作点（ICQ，VCEQ，IBQ）；（2）画出放大电路的微变等效电路；（3）求出电压增益、输入电阻Ri及输出电阻Ro。 图题83K 图题8 3KΩ C1 C2 +VCC +6V + + _ _ Rc 3KΩ RL Rb 256KΩ 图（a） 0 图(b) 9、在图9中，已知Rb1=300KΩ，Rc1=2KΩ,Rb2=200KΩ，Re=2KΩ，RL=2KΩ，IE2=2.2mA， β1=β2=60。求： （1）第一级的静态工作点；（2）放大器的输入电阻和输出电阻；（3）总的电压放大倍数。 10、功率放大电路如图10所示，设输入vi为正弦波。 （１）、静态时，输出电容C2 上的电压应调为多少伏? （２）、RL得到的最大不失真输出功率大约是多少？ （３）、直流电源供给的功率为多少？ （４）、该电路的效率是多少？ 图10 图10 vo + - 11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降VCES为1V， 为了使负载电阻获得12W的功率。请问： （1）正负电源至少应为多少伏？ （2）三极管的ICM，V(BR)CEO至少应为多少？ 图11 图11 12、电路如图12所示,JFET的gm=2mS ，rDS=20KΩ。 (1)求双端输出时的差模电压增益的值； (2)求电路改为单端输出时,AVD1、AVC1和KCMR的值。 13、在图13中：，C=0.47uF， 问： (1)、由该集成运放组成的电路是什么电路？ (2)、计算R2的值？ (3)、计算输出电压的频率f的值？ 14、某集成运放的单元电路如图14所示，设T1、T2的特性相同，且β足够大，问： （1）T1和T2组成什么电路？在电路中起什么作用？ （2）写出IREF和IC2的表达式，设VBE=0.7V，VCC和R均为已知。 图14 图14 15、反馈电路如图15所示（a）、(b)且满足深度负反馈的条件，判断其反馈类型并用近似估算法分别估算它们的电压放大倍数。 16、电路如图16所示，A1，A2，A3均为理想运放，电源电压为±15V，问： （1）、A1、A2、A3分别组成何种基本应用电路。 (2)、A1、A2、A3输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。 (3)、当Vi1=1V，Vi2 =0.5V时，VO1，VO2各为几伏？计算VO3的函数式？ 17、在图17所示电