模拟电子技术知识重点复习大纲_康华光5版概要
模拟电子技术基础复习大纲
高等教育出版社 康华光
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子
2、理解本征半导体和本征激发
本征半导体——化学成分纯净的半导体
本征激发的特点——
3、理解杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力)
少数载流子是由电子—空穴对(本征激发)产生而来,
多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
4、熟练掌握PN结
形成——由于浓度差,而出现扩散运动,在中间形成空
间电荷区(耗尽层),又由于空间电荷区的内电场作用,存在漂移运动,达到动态平衡。
单向导电性 ——
不外加电压,扩散运动=漂移运动,iD=0
加正向电压(耗尽层变窄),扩散运动>漂移运动形成iD
加反向电压(耗尽层变宽),扩散运动为0,只有很小的
漂 移运动 形成反向电流
特性方程:iD=IS(eVo/VT-1)
特性曲线 :
正向导通:死区、导通区
反向截止:截止区、击穿区
5、理解二极管
单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同
主要参数:最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、
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