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第五章 存储器 5.1 存储器分类 5.2 随机存取存储器RAM 5.3 只读存储器ROM 5.4 CPU与存储器的连接 5.1 存储器分类 一、按用途分类 分成内部存储器和外部存储器。 1、内部存储器 内部存储器也称为内存，是主存储器，位于计算机的内部。 2、外部存储器 外部存储器也称为外存，是辅助存储器。 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问； 通常由半导体存储器构成； RAM、ROM； 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。专门设备管理,需调入内存后CPU才能访问； 常见外存：硬盘、软盘、光盘等； 一般是用磁表面存储器件构成。 二、按存储器的性质分类 内存按存储器性质分类通常分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。 三、 存储器的主要技术指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 功耗：动态功耗、静态功耗 5.2 随机存取存储器RAM 要求： *SRAM与DRAM的主要特点（了解） *常用存储器芯片及其与系统的连接（掌握） *存储器扩展技术（掌握） 一、静态随机存取存储器(SRAM) 1、特点 速度快(20ns-40ns,现在有小于1ns的)，不需刷新，外围电路比较简单，但集成度低(存储容量小，约1Mbit/片)，功耗大。 PC机中，SRAM被广泛用作高速缓冲存储器cache。 容量为M*N的SRAM芯片，其地址线数=㏒2M； 数据线数=N。反之，若SRAM芯片的地址线数为K，则可以推断其单元数为2K个。 2、静态RAM的例子 典型的SRAM芯片如： 2114(1K×4位)；6116(2K×8位)； 6264(8K×8位)；62128(16K×8位)； 62256(32K×8位)， 其中： A12~A0：地址线 IO7~IO0：数据线 /WE：写允许信号,低电平有效 /OE：读允许信号,低电平有效 /CE1,CE2：片选 Vcc：+5V, GND：地 下图为6264芯片与CPU的连接： 二、动态随机存取存储器(DRAM) 1、特点 DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高(存储容量大，可达1Gbit/片以上)，功耗低，但速度慢(100-200ns左右)，需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条(主存)、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 2、动态RAM例子 2164是64K×1的DRAM芯片， 其中： A7~A0 ：地址线 /WE：读/写控制线 1：读出， 0：写入 /RAS：行选通信号 /CAS：列选通信号 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 Vcc：+5V，GND：地 3、动态RAM与CPU的连接 CPU与DRAM之间的接口电路由DRAM控制器完成，解决信号转换及刷新控制等问题。 三、高速缓冲存储器（Cache） 主要由硬件来实现，对程序员是透明的。 理解： Cache的基本概念； 基本工作原理； 命中率； Cache的分级体系结构 1、为什么需要高速缓存？ CPU工作速度与内存工作速度不匹配 例如：800MHz的PIII CPU的一条指令执行时间约为1.25ns，而133MHz的DRAM存取时间为7.5ns，即83%的时间CPU都处于等待状态，运行效率极低。 解决方案： CPU插入等待周期——降低了运行速度； 采用高速RAM——成本太高； 在CPU和RAM之间插入高速缓存——成本上升不多、但速度可大幅度提高。 2、工作原理 基于程序执行的两个特征： 程序访问的局部性：过程、循环。 数据存取的局部性：数据相对集中存储。 根据存储器的访问相对集中的特点使得我们可以把频繁访问的指令、数据存放在速度非常高（与CPU速度相当）的SRAM——高速缓存CACHE中。 CPU读取存储器时，若所需数据在Cache中，则称Cache命中；32K缓存，命中率86％；64K，92％ Cache的工作原理示意图 5.3 只读存储器ROM 根据ROM信息写入的方式，ROM分为4种： EPROM例子－Intel 2764(8K×8) EPROM例子－Intel 2764 EPROM例子－Intel 2764 5.4 CPU与存储器的连接 二、存储器扩展