电子技术复习.pptVIP

电子技术复习 答 疑 时 间、地点 时间： 2009年1月12日（17周周1） 地点：信息楼623房间. 集中答疑 时间：2009 年1月14日（17周周3） 地点：信息楼821房间. 上午9：00～11：30；下午1：30～4：00 考 试 要 求 先做简单的，不会的放在最后考虑 写出详细步骤，按步骤给分 画波形图时，要对齐，注意有效沿 字迹清楚，模糊的按错误处理 独立完成，不要为难其他同学 考试后，不要干扰阅卷工作 中规模（MSI）计数器 异步清零(置数)：仅清零(置数)端有效即可实现 清零(置数); 2. 单片设计：利用清零端置零 异步清零：N进制取状态N清零; 3. 多片设计：利用清零端置零 注意片间连接方式; 异步清零：N进制取状态N清零; 中规模（MSI）计数器 4. 单片分析：关键是确定译码状态 N 清零端----异步清零：N进制计数器; 置数端----起点：置入的数M， 终点：译码状态 N； 同步置数：M ~ N进制计数器; 5. 多片分析：关键是确定译码状态 N 注意片间连接方式; 方法同上； 555定时器：了解工作原理即可。 单稳态触发器 只有一个稳态。当有触发信号触发时，它进入暂稳态，持续一定时间后自动返回稳态。 多谐振荡器 没有稳定状态。在无输入的情况下，有矩形波输出。 第二十四章 模拟量和数字量的转换 概念：D/A、DAC；A/D、ADC 公式： 倒T型： 参数：分辨率、转换精度、( 建立 ) 转换时间 春 节 快 乐 学 业 有 成 * 第十四章 二极管和晶体管 基本概念： 自由电子、空穴 P、N型半导体 掺入几价元素 多子、少子(温度的影响) PN结 二极管： 1. 单向导电性：正偏、反偏 2. 导通压降：USi= 0.7V，UGe= 0.1V 3. 电路分析：压差最大者优先导通，并钳位 晶体管： 1．放大区：e 结正偏，c 结反偏。IC = ?IB 饱和区：e、c 结正偏。?IB ≥ IC 截止区：e 结反偏或零偏。IB = 0 2．管子判别：Si，Ge：Ube压降0.7V，0.2V b 、e、c 极：电位高低 NPN，PNP：c 极电位高低 稳压管： 工作在反向击穿区，电流 IZM 3．类型：共射、共集、(共基) 第十五章 基本放大电路 放大电路概念： 1．放大概念 2. 放大电路示意图 放大电路分析： 1．直流通路画法：C开路； 交流通路画法：C短路，UCC为交流地。 2．静态：由直流通路求 IBQ、ICQ、UCEQ 3. 动态：由微变等效电路求 Au、ri、ro 共射放大电路： 1．类型：固定偏置电路、分压式偏置放大电路 2．特点： Au 0，电压放大倍数较高 3. 动态参数： 射极输出器（共集放大电路）： 1．特点： Au≈1，ri 高、ro 很低 2．动态参数： 多级放大电路 1. 耦合方式：直接、阻容、变压器 2. 分析：Au——后级的 ri 作为前级的 rL 3. 零点漂移：采用差放抑制 放大电路频率特性 低频：受耦合电容、旁路电容影响 2. 高频：受三极管极间电容、分布电容影响 3. 概念：上限、下限截止频率；通频带 放大电路的非线性失真 原因：Q点不合适或信号幅值太大 2. 饱和失真： Uo波形削底。 Q点太高，应减小IB 3. 截止失真： Uo波形削顶。 Q点太低，应增大IB 差分放大电路 抑制零点漂移（温漂）原理 2. 概念：差模信号、共模信号；共模抑制比 差分电路RE的作用： 直流 -- 抑制零漂，稳定Q点；交流 -- 对差模信号不起作用 互补对称功放电路 1. 概念：甲类；乙类；甲乙类 2. 交越失真：Q点位于截止区引起，只需提高Q点 第十六章 集成运算放大器 运放组成特点 1. 级间：直接耦合 2. 输入级：差分放大电路 3. 中间