07半导体第八章习题解答.pptVIP

* 1、 第八章 半导体表面与金属-绝缘体-半导体(MIS结构) P型硅衬底，MOS结构表面本征时，表面处费米能级等于禁带中央， 表面处电子浓度等于空穴浓度， 金属层 P半导体 d 绝缘层 ρ(x) x xd +Q -Q 表面层电子浓度服从波尔兹曼分布, 单位面积表面电荷， 所以，表面电场强度， （电场指向半导体内 ） 单位面积表面层电容, 2、 ，硅半导体表面耗尽层宽度， 3、 硅半导体衬底，室温300K下的归一化平带电容， 4、 理想MIS结构不考虑功函数差、氧化层电荷和界面态，半导体表面 强反型时对应的外加电压称为理想MOS结构的开启电压。 ρ(x) +Q -Qn x Ec Ei Ev EF 5、 金属层 N半导体 d 绝缘层 C/C0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Ａ Ｂ Ｃ VG E D 金属接正，半导体接负为正向电压；反之为负向电压。 堆积： 平带： 耗尽： 本征： 弱反型： 临界强反型： 强反型： 深耗尽： （V） 6、 固定电荷带正电，半导体表面能带下弯曲，C-V沿负电压方向平移，考虑功函数差，平带电压 C/C0 VG 0 VFB VFB 假定固定表面电荷分布与氧化层厚度无关，则对不同氧化层厚度 设 ，则， C/C0 VG 0 VFB1 VFB1 C/C0 VG 0 VFB2 VFB2 确定固定电荷面密度后，由 或者 求得金属和半导体功函数差产生的平带电压 7、 (1)氧化层正电荷均匀分布 金属 氧化层 半导体 ０ x 由已知氧化层单位面积总离子数，得到 (2)氧化层正电荷三角分布，金属侧最高，半导体侧为零 金属 氧化层 半导体 ０ x 由已知氧化层单位面积总离子数，得到 (3)氧化层正电荷三角分布，金属侧为零，半导体侧最高 金属 氧化层 半导体 ０ x 由已知氧化层单位面积总离子数，得到 8、 （1）电子占据单能级受主型表面态 的几率， 单位面积上表面态电子浓度， 受主型表面态被电子占据后带负电，单位面积负电荷密度， （2）电子占据受主型表面态能级 的几率， 单位面积上受主型表面态电子浓度， 受主型表面态被电子占据后带负电，单位面积上负电荷密度， 9、 栅控二极管上加有反偏压，栅极下面二极管低掺杂区（假设为P型）半导体表面发生临界强反型时，半导体表面势， 忽略平带电压，开启电压， —— 单位面积半导体表面空间电荷密度 当反向偏压 ， 10、 “半导体物理学”学习辅导与典型题解，田敬民 张声良编，PP160，例8-14 *