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多孔硅电容变化规律及相关探测器研究探索 Research of Porous silicon capacitance detector 目 录 摘 要 I Abstract .....................................................................II 第一章 引 言 1 1.1 研究背景 1 1.2 选题的目的及意义 1 1.3 本文的组织结构 2 第二章 多孔硅的制备 3 2.1 多孔硅的分类 3 2.2 多孔硅的制成 3 2.3 多孔硅的性质 4 第三章 多孔硅的湿敏传感器原理 5 3.1 湿敏传感器研究现状 5 3.2 多孔硅湿度传感器的感湿机理 5 3.3 多孔硅湿度传感器的应用前景 6 第四章 实验内容及数据分析 8 4.1 多孔硅的制备 8 4.1.1 准备工作 9 4.1.2 实验 10 4.2 多孔硅湿敏特性测试 13 4.3 数据整合与分析 14 第五章 结论及展望 16 参考文献 17 致 谢 18 摘 要 打印电子学中，运用喷墨打印机直接打出逻辑电路，即一个智能化的结构。在电路中掺入不一样的半导体材料就可以实现各种不同的功能，本文就是在叉指电容中掺入多孔硅制成简易的湿敏电容，从而形成一种结构简单，成本低，可用于大规模生产的器件。 在潮湿环境中多孔硅层的微孔对水分子的吸附可改变其介电常数和导电性能。为了解释变化介电常数的PS层和为优化结构提供理论依据，我们应用阳极氧化技术在单晶硅上生长一层多孔硅薄膜，将薄膜剥离，将多孔硅粉末填入叉指电容，制成二端结构的敏感元件。在不同湿度环境下，测出其电容值，得到多孔硅RH-C湿度特性曲线。以便于将多孔硅湿敏电容用在打印电子学中。 关键词：打印电子学，多孔硅，湿敏，电容传感器，RH-C曲线 Abstract Printed electronics, the use of ink-jet printer directly hit logic circuit, that is, an intelligent structure. Incorporation in the different circuits and semiconductor materials can achive a variety of functions, this article is the incorporation of interdigital capacitor made of porous silicon capacitive humidity and easy to form a simple structure, low cost, can be used to large-scale production of the device. PS layer undergoes a change in its dielectric constant and conductivity when exposed to humid atmosphere owing to the adsorption of the water vapour molecules in its micropores. Thus, PS humidity sensor has been studied either by monitoring the change in capacitance or conductance of the PS layer under humidity exposure. In order to explain the change in dielectric constant of PS layer and provide a theoretical basis for optimising the structure of the capacitive sensor, Application of anodic oxidation technology in the single crystal silicon layer grown on porous silicon thin film, spined-off the film, filled in the capacitor, making a sensitive component of two-terminal structure . In different circumstances, its capacitance value measured by