材料测试分析方法(原理).doc

仪器 分析方法 原理 分析元素范围 成分分析（检测极限、深度） 拓扑分析（分辨率） 其它分析 特点补充 XRD WAXD 2dsin?=nλ 物相分析 （5%-10%） 物像分析、宏观微区应力分析、晶粒大小、 极图，取向函数 SXAD SEM SEM 二次电子（5nm） 放大倍数（×10-×100，000），景深大（3nm） BE 背散射电子 面成分像 EDX 特征X射线的能量 线扫描、面扫描、面成分像(0.1%,1μm) WDX 特征X射线的波长 (0.01%) EBSD 电子背散射衍射 晶体对称、取向、完整性、晶格常数 XPS XPS 光电效应电子 除H外 表面及深度成分分析 化学键合、化学吸附、化学位移5 极高的表面选择性(0.3nm-5nm),轻元素分析能力 AES 俄歇电子 除H、He外 Auger谱线(点、面成分)、成分像、深度剖面分析(0.1-1%) SEM(＜100nm) 极高的表面选择性(0.3nm-5nm),轻元素分析能力 仪器 分析方法 原理 分析元素范围 成分分析（检测极限、深度） 拓扑分析（分辨率） 其它分析 特点补充 二次离子质谱 SSMS 火花放电离化离子 所有元素 1ppb(10-9) 无微区分析能力，具有同位素分析能力，导电样品及弥散于导电固体 SIMS SIMS 二次离子 表面成分谱(静态、10ppm),?深度 任意样品，但不能定量分析 仪器 分析方法 原理 分析元素范围 成分分析（检测极限、深度） 拓扑分析（分辨率） 其它分析 特点补充 卢瑟福背散射 RBS 高能轻离子垂直入射，背散射离子的几率与能量 不能检测H、D ( 同AES) 0.01%,~10nm 成分定量分析 ERS 高能重；离子斜入射，弹性前冲粒子的几率与能量 H、D、T 0.01%，10nm 成分定量分析 ISS 中能轻离子斜入射，自身散射的几率与能量 表层第一层原子 (比AESXPSSIMS更敏感） 不能进行成分定量分析 扫描探针显微镜 STM 隧道电流 形貌、原子排列 恒高式，恒流式 AFM 原子力 形貌、原子排列 导体、非导体均可 MFM 磁场梯度随空间位置的变化率 磁畴、磁化过程、磁现象 直观性差 NSOM（近场扫描光学） 光学性质在空间位置的变化 形貌 光发射、吸收谱 场离子+原子探针 FIM 表面惰性气体电离 二维原子排列像（点、线缺陷），纳米组织转变 AP 样品表面原子在强电场下电离 一维原子成分像（单原子识别、微区质谱、深度质谱） 质量分辨率不高 ＩＡＰ FIM+AP 二维平面某元素的面分布 3D-AP 3D-AP 电极组分析到达离子的飞行时间与平面坐标 三维全元素立体排布 元素晶界偏析、弥散析出物尺寸、分布 仪器 分析方法 原理 分析元素范围 成分分析（检测极限、深度） 拓扑分析（分辨率） 其它分析 特点补充 ＮＭＰ（核探针） RBS 成分像(ppm) PIXE 粒子诱发X-ray Al- 成分像（1-2 ppm,数十μ） 背底比EDX低2个数量级 NRA H-F(10-50ppm) Na(~200-2000ppm) 成分面分布、同位素含量、面分布 PIGE 粒子诱发r-ray Li-Al SEM CCM 通道效应 晶格 FIB（聚焦离子束） ΠE/SEM 二次离子产额依赖于不同部位的入射角 SIM/SIMS 二次离子产额依赖于表面成分、污染层 CCM 二次离子产额依赖于晶体相对入射束的的倾角 电位衬度 表面电位 Dual-Beam FIB SEM+FIB 局部精确加工（刻蚀、沉积）、TEM样品制作 PIXE 定量、无标样分析能力强