氧化锌薄膜半导体材料的研制及应用.doc

郑州大学 半导体材料论文 氧化锌纳米薄膜半导体材料的制备及应用 参考大纲：氧化物薄膜半导体材料的研制及应用。 院系：材料科学与工程学院 专业：材料化学 班级：09级一班 姓名：肖常磊 学号：20092640127 氧化锌纳米薄膜半导体材料的制备及应用 摘要 氧化锌(ZnO)是一种具有广泛用途的新型II-VI族多功能半导体材料，其室温禁带宽度为 3．37eV，激子束缚能60meV，，具有良好电学和光学特性，是制备半导体发光器和半导体激光器的理想材料。ZnO纳米材料具有丰富的结构形态、广阔的应用前景和科学研究价值。实 现纳米光电器件和电子器件的重要一步是实现不同ZnO纳米结构的可控制备。另一方面，ZnO纳米结构随材料尺度的减少会表现出许多不同于块体材料的特殊物理效应，如量子尺寸效应、宏量子隧道效应、库仑阻塞效应、小尺寸效应、表面效应等，各种新颖的纳米结构的制备、结构表以及性能分析成为纳米氧化锌研究的一个热点。此外ZnO纳米结构的掺杂与合金纯研究是最终实现ZnO纳米光电子器件的一个重要方向，引起了人们的广泛关注。 关键词： ZnO 纳米材料 绪论 1.1 引言 在人类社会漫长的发展过程中，科学技术的发展总是和尺度的概念紧密相关。18世纪中叶，以蒸汽机为代表的第一次工业革命是毫米技术应用的标志，它使人们跨进了以机械代替人力的工业时代，结束了人类漫长的体力劳动时代。20世纪，以微电子技术为代表的第二次工业革命是微米技术应用的标志，微米技术引领人类进入了计算机和通讯网络的新时代，不仅缩短了人们之间的距离，而且极大的促进了生产力的发展。进入21世纪，以纳米科技为代表的新兴技术，给人类带来第三次工业革命，纳米科技将给人类创造更多的新物质、新材料和新器件，改变人们千百年来形成的生活习惯，创造一个全新的世界Ⅲ。纳米科学技术(Nano—ST)是20世纪80年代中期诞生并正在蓬勃发展的一门新兴科学技术，其主要研究对象——纳米材料，被称为“二十一世纪最有前途的材料。 1.2 纳米材料简介 纳米技术是近几年受到广泛关注的新型领域，其研究内容涉及凝聚态物理、化学反应动力学胶体化学、配位化学、表面、界面等学科，是现代功能材料的重要组成部分。“纳米(nm)是一个长度单位，其大小为10-9米。纳米材料出现于上个世纪80年代，指合成材料的基本单元大小限制在l-100nm范围的材料，这大约相当于10-1000个原子紧密排列在一起的尺度。在纳米技术发展初期，纳米材料通常指纳米颗粒及由其构成的纳米薄膜和固体。随着纳米技术的发展，现在广义的纳米材料指的是在三维空间中至少有一维为纳米尺度或由它们作为基本单元构成的材料。．纳米半导体材料通常可分为二维半导体超晶格、量子阱材料，一维半导体量子线和零维半导体量子点. 1.3 ZnO的晶体结构和性质 ZnO常见的结构有三种，分别是纤锌矿结构(Wurtzit)、闪锌矿结构(ZineBlend)和岩盐结构(Rockssalt)，通常条件下制备出的ZnO都是纤锌矿结构，呈六角对称性，每一个锌原子都位于四个相邻的氧原子所形成的四面体间隙中；同样每个O原子和最近邻的四个Zn原子也构成一个四面体结构。这种四面体的配位结构是典型的sp3轨道杂化的特征，这种结构的半导体材料的极性介于离子性和共价性半导体之间，而且这种结构还导致ZnO的非中心对称性，因而具有压电和热电特性。 ZnO在室温下的禁带宽度为3．37eV，对应的波长在紫外波段，因此用可见光照射不能产生激发，材料对可见光是透明的。当用能量大于带隙的光子照射ZnO时，材料会产生强烈的吸收；而当光子能量小于带隙时，光子被透过，因此产生明显的吸收边。纯净的理想化学元素比的ZnO由于带隙较宽，是绝缘体，而不是半导体，但是由于材料本身的缺陷，比如氧空位、锌填隙等施主缺陷，使其常常表现出n型导电。 小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应[1]和宏观量子隧道效应是纳米ZnO的基本特性。最基本的是表面效应和量子尺寸效应，它使纳米ZnO呈现出许多奇异的光学、光化学、电学、非线性光学、催化性质、相转变和粒子输送等性质。使得半导体纳米材料在发光材料[2][3]、光催化材料[4]等方面具有广阔的应用前景。 1.4 ZnO薄膜的制备方法 1．4．1分子束外延(MBE) 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE)是生长高质量半导体薄膜的常用方法其原理是在超高真空的环境下，精确控制原材料的分子束强度，把分子束射入被加热的衬底