材料科学基础复习题讲解.doc

绪论 一、填空题 1、材料科学主要研究的核心问题是 结构 和 性能 的关系。 材料的结构是理解和控制性能的中心环节，结构的最微细水平是 原子结构 ，第二个水平是 原子排列方式 ，第三个水平是 显微组织 。 2. 根据材料的性能特点和用途，材料分为 结构材料 和 功能材料 两大类。 根据原子之间的键合特点，材料分为 金属 、 陶瓷 、 高分子 和复合材料四大类。 第一章 材料的原子结构 一、填空题 1. 金属材料中原子结合以 金属 键为主，陶瓷材料（无机非金属材料）以 共价键 和 离子键 结合键为主，聚合物材料以 共价键 和 氢键以及范德华 键为主。 第二章 材料的结构 一、填空题 1、晶体是 基元（原子团）以周期性重复方式在三维空间作有规则的排列的固体 。 2、晶体与非晶体的最根本区别是 晶体原子排布长程有序，而非晶体是长程无序短程有序 。 3、晶胞是 晶体结构中的最小单位 。 4、根据晶体的对称性，晶系有 三 大晶族， 七 大晶系， 十四 种布拉菲Bravais点阵， 三十二 种点群， 230 种空间群。 5、金属常见的晶格类型有 体心立方 、 面心立方 、 密排六方 。 6、fcc晶体的最密排方向为 110 ，最密排面为 {111} ，最密排面的堆垛顺序为 ABCABCABCABC…… 。 7、fcc晶体的致密度为 0.74 ，配位数为 12 ，原子在（111）面上的原子配位数为 6 。 8、bcc晶体的最密排方向为 111 ，最密排面为 {110} ，致密度为 0.68 ，配位数为 8 。 9、晶体的宏观对称要素有 对称点 、 对称轴 、 对称面 。 10、CsCl型结构属于 简单立方格子 ，NaCl型结构属于 面心立方格子 ，CaF2型结构属于 面心立方格子 。 11、MgO晶体具有 NaCl型结构，其对称型是3 L4 4L36L29PC ，晶族是 高级晶族 ，晶系是 立方晶系 ，晶体的键型是 离子键 。 12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是 硅氧四面体[SiO4]。 13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[Si2O7]6-、[Si2O6]4-、[Si4O10]4-、[AlSi3O8]1-，它们的晶体结构类型分别为 组群状 ， 链状 ， 层状 ，和 架状 。 14、表征晶体中晶向和晶面的方法有 解析法 和 图示 法。 二、分析计算 1、Ni为面心立方结构，原子半径r=0.1243nm，求Ni的晶格常数和密度。 ; 2、Mo为体心立方结构，晶格常数a=0.3147nm，求Mo的原子半径r 。 3、CsCl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm、0.181nm。 试问（1）在CsCl内离子在100或111方向是否相接触？ （2）每单位晶胞内有几个离子？ （3）各离子的配位数是多少？ （4）密度 ρ和堆积系数（致密度）K？ 4、MgO具有NaCl型结构。Mg2+的离子半径为0.072nm，O2-的离子半径为0.140 nm。试求MgO的密度ρ和堆积系数（致密度）K。 5、下列硅酸盐化合物属于什么结构类型？ ， ， ，，，，， 解：第一种，Si：O=1：4所以是岛状，共顶数为0；第二种共顶数一个，成对硅氧团；第三种Si：O=1：3，共顶数为两个，三节环；第四种Si：O=1：3六节环；第五种三节环，这几种都是组群状；第六种Si：O=2：5为层状，第七种第八种Si（Al）：O=1：2为架状。 第三章 晶体结构缺陷 一、填空题 1、按几何组态，晶体中的缺陷分为 点缺陷 、 线缺陷 、面缺陷 和体缺陷。 2、点缺陷主要包括 空位、 间隙原子、置换原子 ；线缺陷有 位错 ；面缺陷包括 晶界、相界、表面 等。 3、描述位错性质及特征的是 柏氏矢量b 。 4、位错的类型有 刃位错 、 螺位错 和 混合位错 。 5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为 刃位错 ，位错线与柏氏矢量平行的位错称为 螺位错 。 6、位错的基本运动方式有 滑移 和 攀移 。 7、 刃位错 可以滑移和攀移， 螺位错 可以滑移而不攀移，能进行交滑移的位错必然是 螺位错 。 8、位错滑移一般沿着晶体的 密排（面）和 密排（方向）进行。 9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域 晶格畸变 的大小和方向。 10、两平行同号螺位错间的作用力为 斥力 。 11、全位错是柏氏矢量等于点阵矢量的位错 ； 不全位错是柏氏矢量不等于点阵矢量的位错 。 12、面心立方晶体的不全位错类型主要有Shockley不全位错