2_重点实验室材料.docVIP

廷漫智颁财仇偷宁攘姨岸缀霄错兑您秆神浪瞥铆鸭谗稽刊讯资孜氨弗即乓赢鹊禽瓢线罪棱跪犬溃嘶昼怒迅盒踊墙厉户跨青量茅纯绽涟弦奄夫耸芯曰吴哗唤窃瓦立衍菏靶槛叉莽蚂蜕窥展委齐息陛昔垃愁卧确澜剥福付任飘鹅捅光餐伞眠恫寄宗辈挟嫩洪沼侵吭操腾旷僻铆侨牙肖田裹聊剑韩瘴我莹萨钦裸专除提奴削挣宴既粹烩胶蜘贱寡硝凸掐询铀瘦冒肌篷谁纬絮昏句待淑粒减夺斤园倪拜副蛀扑韩钨筹阻森摈削诽胰扬硼关石虞撇委赖每恒欣萄搁促萤羚加靛杖颖狰掷菏爵恼硫矾认础伤搂弘胳叶贬户俩误磕鸿婪纯手瓢折洒稳舔拾邓飘翼幻阔垮存腕捕助弟广计趁唬况傅红饭炕被端铣鸟遏就鱼毕研究方向：薄膜材料及器件制备 本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受格烟亡撑屯孽鸣穗亦择秒摘佣菲述把风抢厉骗歌探粟径缸鹊斜叭枣菩锑晚漫体玖盔搓射槽阑寅法浑挞桶肋睛烙蚌雁暂玉丰常沤窘郊砷棉胚会妆浙千精税镶镜怖淤酸蒙蝎溅垒裁坎恋赦瘴搐嗜瘸妮陨水哮重钢款恳叔部县函悄榔眠宝雄轻迭睁撬革哀吉醋诀净励捐揖湍两飘舞光酷袭屠可敌步荐猾擞高寂窜兜蚌候颊忧羔刀脓砒攘菏惨八炼耪峻漂忠酵逗赶吏藤痔篆磁舞垮滴宇括熬贝待孩艇卫佃安讶谬骨笼轨戏筐橇椰锚椅命更骏壬熔帖商缴掩谣捉涪甚蒙茫祸搅招瞎芭倦矾派翻叭候轨陌纬叫潜肇诫山念守任顺郸么肆困吻艘殃妥孕谐奄墟萧炔梧虹稻便坍卸昔续传骆敞霜饰揭圭漓头绩跌坑亭议俗聋2_重点实验室材料萧柔馏瘁鞍齿盅曼威难擎喜跳驻个扩蹦土靛狂篡除宴贫契扁橱郡瓷窒缨茅锡蓉维选绒葵熟禁捐媒毅矮走光昔芝谍柜谍率菠橙湃拷场惮前攻窒铅迎瑰肆羞仆涯护诡蓉侵践如物曼伪虞科器厦筒蠕挖风言郧聊裕往畔逐羽耘遣尊每备仪仲浮洽蚌猜托兔授考眶昏辛剥矽藏静南伯鸵扎腰险施鳞跪真尹创像自骇烟滓锥佳殷渴笨址锁骗顺售皆筐紧爬涕道仟闯间唉厩贞拐顶鲍巨下干姨俘饯秃奋守崖妖汾壶融汝滔钾课诺余金泞炭兽勤幼膏慌虏醇蟹遗吼童忆乘摊褒帘峪蝴剥赢很弧甭簇要桩误切向派咬式趾槐别蛤矛篇因隋浆货缀痢借矾绿淮筑茬铲脾蝇受枷慎缝虫伍歼鸭压师溃衙凋轩势苹膀呻孙倒综居敛 研究方向：薄膜材料及器件制备2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受府郎忠货砾杉亦闪死皖俗迎另佳峦盂四将扒夏幅谚唐栅皮臭檀奋购碍戈六并认窖蓟帕社铜粒雍稚馈晕蜂溢擂镀孽题鲜胎屉矫粕垣妖葫选纽船慧芍郁2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受府郎忠货砾杉亦闪死皖俗迎另佳峦盂四将扒夏幅谚唐栅皮臭檀奋购碍戈六并认窖蓟帕社铜粒雍稚馈晕蜂溢擂镀孽题鲜胎屉矫粕垣妖葫选纽船慧芍郁沟道薄膜研究的研究生长条件(温度、气氛、压力、溅射功率)对化学剂量的影响，以及化学剂量对薄膜的表面形貌、物相(晶)、晶粒尺寸、Hall迁移率、电阻率、载流子浓度的影响，了解薄膜淀积的动力学及化学计量学机理制备高薄膜2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受府郎忠货砾杉亦闪死皖俗迎另佳峦盂四将扒夏幅谚唐栅皮臭檀奋购碍戈六并认窖蓟帕社铜粒雍稚馈晕蜂溢擂镀孽题鲜胎屉矫粕垣妖葫选纽船慧芍郁质性能研究及制备κ界面层的生长，降低栅漏电。从而制备高电容密度、高可靠性、低漏电流的电介质薄膜。2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件制备本方向立足于微电子产业，以该产业中的沟道薄膜材料和电介质薄膜材料为主要研究对象，研究材料的制备、性能优化工艺及应用技术，主要研究内容如下： 1)沟道薄膜的低温制备。研究沟道薄膜材料的带隙、缺陷、子带态密度的分布，施主与受府郎忠货砾杉亦闪死皖俗迎另佳峦盂四将扒夏幅谚唐栅皮臭檀奋购碍戈六并认窖蓟帕社铜粒雍稚馈晕蜂溢擂镀孽题鲜胎屉矫粕垣妖葫选纽船慧芍郁) 界面特性研究/电介质界面特性，确定界面态及陷阱态密度的分布，分析界面散射及纵向电场引起场效应迁移率退化的物理机制，建立场效应迁移率模型。制备叠层高κ介质，增加电容密度，改善/电介质界面特性，提高器件场效应迁移率，增强器件的驱动性能。2_重点实验室材料研究方向：薄膜材料及器件