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华北电力大学 高电压绝缘技术 王胜辉 华北电力大学 电气与电子工程学院 高压教研室 2012年2月 工程中面对的往往是高气压、长气隙的情况。汤逊理论并不适用，应当用流注理论解释。 三.气体击穿流注理论（streamer） （一）、研究方法及实验现象 试验手段：云室或高速摄影等技术 1 初始电子崩照片 电子崩在空气中的发展速度约为 厘米/秒。 （一） 、研究方法及实验现象 2 初始电子崩转变为流注瞬间的照片 这个新出现的电离特强的放电区域称为流注，它迅速由阳极向 阴极发展，故称为正流注。 流注的发展速度较同样条件下电子崩的发展速度要大一个数量 级( 厘米/秒)。 2.若间隙上电压比击穿电压高很多，也观察到负流注(或阴极流 注)的形成。 这时电子崩在间隙中经过很短一段距离后，立刻转入流注阶段，流注随即迅 速向阳极发展。 1.电子崩是沿着电力线直线地发展的，而流注却会出现曲折的分支。 电子崩可以同时有多个互不影响地向前发展，但当某个流注由于偶然的 原因向前发展得更快时，其周围的流注会受到抑制，火花击穿途径就具有细 通道的形式，并带有分支，而不是模糊的一片了。 1 流注特点 （一） 、研究方法及实验现象 3. 间隙的放电过程先从电子崩开始，然后电子崩转为流注，从而实现击穿。 工程中面对的往往是高气压、长气隙的情况。汤逊理论并不适用，应当用流注理论解释。 （二）流注理论 2. 强调了空间电荷对原有电场的影响 适用条件为： 流注理论的要点 1.碰撞电离和空间光电离是维持自持 放电的主要因素 1. 空间电荷对原有电场的影响 电子崩的头部集中着大部分的正离子和几乎全部电子。原有均匀场强在电子崩前方和尾部处都增强了。 x (a) (b) E E0 d E0 （二）.流注理论 1. 电子的迁移速度比正离子的要大两个数量级，出现了大量的空间电荷，崩头最前面集中着电子,其后直到尾部则是正离子，而其外形则好似球头的锥体。 2. 当电子崩发展到足够程度后，空间电荷将使外电场明显畸变，大大加强了崩头及崩尾的电场而削弱了崩头内正、负电荷区域之间的电场。 3. 崩头前后，电场明显增强，有利于发生分子和离子的激励现象，当它们从激励状态回复到正常状态时，就将放射出光子。崩头内部正、负电荷区域之间电场大大削弱，则有助于发生复合过程,同样也将发射出光子。 （二）.流注理论 1. 空间电荷对原有电场的影响 （二）.流注理论 空间电荷对电场的畸变作用： 1）大大加强了电子崩头部的电场 2）加强了崩尾的电场 3）消弱了崩头内正、负电荷区间的电场 由于崩头的前后的电场明显增强，有利于发生分子和离子的激励现象，当他们从激励态回复到正常状态时，将辐射出大量的光子； 正、负电荷区间之间的电场大大消弱，有助于复合，也将 发射出光子。 上述电场对放电的影响 光子 空间光电离 （三)流注的形成 1. 正流注的形成 1）外电离因素从阴极释放出的电子向阳极运动，形成电子崩。 2）随着电子崩向前发展，其头部的电离过程越来越强烈。当电子崩走完整个间隙后，头部空问电荷密度已如此之大，以致大大加强了尾部的电场，并向周围放射出大量光子。 3）这些光子引起了空间光电离，新形成的光电子被主电子崩头部的正空间电荷所吸引，在受到畸变而加强了的电场中，又激烈地造成了新的电子崩，称为二次电子崩。二次电子崩向主电子崩汇合，其头部的电子进入主电子崩头部的正空间电荷区(主电子崩的电子已大部进入阳极了)，由于这里电场强度较小，电子大多形成负离子。 正流注的形成过程 大量的正、负带电质点构成了等离子体，这就是所谓正流注 。 4）流注通道导电性良好，其头部又是二次电子崩形成的正电荷，因此流注头部前方出现了很强的电场。同时，由于很多二次电子崩汇集的结果，流注头部电离过程蓬勃发展，向周围放射出大量光子，继续引起空间光电离。于是在流注前方出现了新的二次电子崩，它们被吸引向流注头部，从而延长了流注通道。这样，流注不断向阴极推进，且随着流注接近阴极，其头部电场越来越强，因而其发展也越来越快。 5）当流注发展到阴极后，整个间隙就被电导良好的等离子通道所贯通，于是间隙的击穿完成。 正流注的形成过程 2.负流注的形成 ●形成条件：如果外施电压比击穿电压高，则电子崩不需经过整个间隙，其头部电离程度已足于形成流注了，流注形成后，向阳极发