硅光电池特性研究.doc

硅光电池特性研究 【实验目的】 掌握PN结形成原理及其工作原理； 了解LED发光二极管的驱动电流和输出功率的关系； 掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。 【实验原理】 半导体PN结原理 目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏 (b) 反偏 正偏 图1. 半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区图1是半导体PN结在零偏、正偏、反偏下的耗尽区当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴，而N型材料电子，结果向扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强μA)；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱载流子扩散运动形成→N方向的正向电流，这就是PN结的单向导电性。 LED工作原理 当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时，空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。发光波长λ可由下式确定： （1） 式中的h为普朗克常数，c为光速。在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度，因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25~40nm左右，随半导体材料的不同而有差别。发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系由下式决定： （2） 式中η为发光效率，Ep是光子能量，e是电荷常数。 输出光功率与驱动电流呈线性关系，当电流较大时由于PN结不能及时散热，输出光功率可能会趋向饱和。本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管作为实验用光源采用的发光二极管驱动和调制电路如图2所示信号调制采用光强度调制的方法， 图2. 发送光的设定、驱动和调制电路框图图3. LED的正弦信号调制原理发送光强度调节器用来调节流过LED的静态驱动电流，从而改变发光二极管的发射光功率。设定的静态驱动电流调节范围为0~20，对应面板上的光发送强度驱动显示值为0~2000。正弦调制信号经电容、电阻网络及运放跟随隔离后耦合到放大环节，与发光二极管静态驱动电流迭加后使发光二极管发送随正弦波调制信号变化的光信号，如图3所示，变化的光信号可用于测定光电池的频率响应特性。 硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管hotodiode），它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。 当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它的结合面耗尽区存在一内电场当有光照时，入射光子将把处于带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别移到N型区和P型区光电池当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载光电二极管PN结。流过PN结两端可由式（3）确定 （3） 中I为饱和电流，V为PN结两端电压，T为绝对温度，IP为产生的光电流。从式中可以看到，当光电二极管处于零偏时，V=0，流过PN的电流I= –I；当光电二极管处于反偏时（本实验取–5 V），流过PN结的电流I–IPS= –( IP+IS), 从而IS = IPS– IP。因此，当光电二极管光电池时，光电二极管必须处于零偏用作光电转换器或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流I与输入光功率Pi有以下关系： （4） 式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长，在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg，以保证处于带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带，对于硅光电池其长波截止波长为λμm，在短波长处也由于材料有较大吸收系数使R值很小。 图是光电信号接收端的工作原理框图，光电池把接收到的光信号转变为与之成正比的电流信号μA级)，再经电流电