硼化锆陶瓷的氧化性及保留强度研究.doc

ZrB2-SiC陶瓷的抗氧化性和保留强度研究 Wei-Ming Guo, Guo-Jun Zhang 摘要：对ZrB2–10 vol% SiC (ZB10S) 和ZrB2-30 vol% SiC (ZB30S)氧化研究以及氧化后常温下弯曲强度影响的研究。氧化实验在空气气氛1500℃下保持0.5-10h。ZB10S和ZB30S的氧化层都是有最外层的玻璃层和里层较厚的SiC缺失层。测量氧化增重、玻璃层厚度以及SiC缺失层厚度。研究表明延伸的SiC缺失层显示了抗氧化性的提高。与ZB10S相比ZB30S的玻璃层具有更快速的增长和低的ZrO2含量。因为产生的玻璃相可以修复表面缺陷，使得氧化后的试样显著提高，经过0.5h的氧化ZB10S强度提高110%ZB30S提高了130%。 1：简介 在超高温陶瓷中，由于ZrB2陶瓷具有低理论密度、高的熔点和热导率而广泛的应用于热防护系统和高超声速飞行器超燃冲压发动机组件部B2O3: 由于高温蒸汽压，氧化硼在1100℃蒸发： 由于氧化硼的挥发，使得表面留下一个多孔的ZrO2层，这导致了在1400℃以上有一个现行快速的氧化机理。因此单相的硼化锆超高温陶瓷都具有很差的抗氧化性。 研究表明添加SiC可以提高硼化锆陶瓷的抗氧化性。在1100℃以上SiC与氧气发生如下反应， 反应生成的SiO2、 B2O3形成了硼硅酸盐SiO2玻璃层，由于SiO2比B2O3具有明显的低挥发性和高粘度，富SiO2玻璃层可以有效提高1100℃以上ZrB2-SiC陶瓷的抗氧化性。 在过去的5年中，来自美国意大利中国的很多团队都对ZrB2-SiC陶瓷的抗氧化性进行了研究。Fahrenholtz等人对1500℃氧化的ZrB2-SiC陶瓷的氧化层结构进行了研究。他们指出经典的三层结构（1）ZrO2玻璃层，（2）ZrO2–SiO2薄层（3）碳化硅缺失层。随着对层状ZrB2-SiC陶瓷不断研究引入了热力学模型包括波动图。这个模型认为产生SiC缺失层的原因是在氧化层中SiC的剧烈反应。类似Carney等人通过对在1400-1600℃空气气氛下的ZrB2-SiC陶瓷进行氧化层研究，同样分为三层，最里面的一层为ZrO2以及相邻ZrB2产生的Si–C–B–O玻璃相。 Karlsdottir等人对ZrB2-SiC陶瓷氧化的研究主要是在1550℃空气下最外层的玻璃相。湖岛模型是氧化层所观察常见的，包含ZrO2为中心岛存在于富SiO2基体中。这些氧化层特征被称为对流单体B2O3从富B2O3液体层转移到由于B2O3挥发而形成的B2O3缺失层，ZrO2分子则沉淀下来，而形成富SiO2玻璃层。此外对对流单体SiC含量可以减少ZrB2-SiC陶瓷中对流单体的形成。非氧化物陶瓷的强度受氧化过程的影响。为了推动非氧化物高温性能的应用，对氧化后室温弯曲强度的研究是必不可少。总结现在的一些研究大多数是对SiC和Si3N4陶瓷的氧化后残余强度的研究，而鲜有对ZrB2基陶瓷的研究。Guo等人对ZrB2-SiC陶瓷研究是分别添加纳米级和微米级的SiC颗粒在1400℃空气气氛下氧化10h，结果添加纳米颗粒的陶瓷弯曲强度得到提高，而添加微米级的陶瓷弯曲强度下降。 在这篇文章，对ZrB2–10 vol% SiC (ZB10S) 和ZrB2-30 vol% SiC (ZB30S)氧化研究以及氧化后常温下弯曲强度影响的研究。氧化实验在空气气氛1500℃下保持0.5-10h。首先对显微结构进行了研究和讨论。然后通过氧化增重，玻璃层厚度以及SiC缺失层厚度研究氧化机理。这篇文章主要是想找提高抗氧化性的一个主导因素。另外氧化时间对氧化后试样弯曲强度影响也在研究。 2 实验 原料：ZrB2粉(D10= 0.46u m,D90= 22.4 um, 98.5%, Gongyi Sanxing Ceramics Materials Co.Ltd., Gongyi, China)； SiC 粉(D10= 0.18 um, D90= 1.0u m,98.5%, Changle Xinyuan Carborundum Micropowder Co. Ltd.,Changle, China).在这里，将添加10%和30% SiC 粉标记为ZB10S、ZB30S。将原材料加入到高聚物的球磨罐中，研磨8h，研磨介质为Si3N4陶瓷球，之后用旋转蒸发仪蒸干，将干料用热压烧结方法在2000℃30MPa下烧结60min。在温度低于1650℃时使用真空烧结，高于1650℃时使用氩气保护烧结。从室温到2000℃升温速度为10℃/min.降温速度为20℃/min。 将烧结的块体用金刚石切头切成2mm×2.5mm×39mm的条状，然后研磨抛光至5um去做氧化实验，氧化实验在箱式炉进行。试样放置在氧化铝托盘，保持最小的接触。