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第十三节 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  一、霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 一、工作原理及结构1、工作原理 霍尔电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外, 还受到霍尔电场的作用力，此力阻止电荷继续积累： 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，与载流材料的物理性质和几何尺寸有关； 式中kH=1/ned称为霍尔片的灵敏度。表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小； ?霍尔元件的材料选择 kH与n、e、d成反比，若要霍尔效应强, 则kH值