化合物半导体材料.pptVIP

* InP特性 高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料； InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs InP的直接跃迁带隙为1.35 eV，正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段； InP的热导率比GaAs好，散热效能好 InP是重要的衬底材料：制备半绝缘体单晶 * 4.1.3 GaN 1928年被合成。化学性质稳定。 稳定结构为纤锌矿结构，键能大，熔点较高，晶格常数较小 GaN禁带宽度为3.4 eV 非掺杂是n型半导体；Mg掺杂是p型半导体 * GaN性质 高频特性，可以达到300 GHz 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） * 发光二极管 LED 发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。 当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的空间电荷区与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。 * LED应用 半导体白光照明 车内照明 交通信号灯 装饰灯 大屏幕全彩色显示系统 太阳能照明系统 其他照明领域 紫外、蓝光激光器 高容量蓝光DVD、激光打印和显示、军事领域等 * LED照明