英飞凌 FP15R12W1T4B11中文资料参数.docxVIP

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英飞凌 FP15R12W1T4_B11中文资料参数英飞凌EasyPIM? 1B 1200V PIM?IGBT模块with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact Technology。FP15R12W1T4_B11技术指标信息：FP15R12W1T4_B1深圳德意志工业库存:80只IGBT,?逆变器 / IGBT,Inverter最大额定值 / Maximum Rated Values集电极－发射极电压Collector-emitter voltage?Tvj = 25°C?VCES????? ???1200????????????V连续集电极直流电流Continuous DC collector currentTC = 100°C,? Tvj max ?= 175°C TC = 25°C, Tvj max ?= 175°CIC nomIC????????1528?????????????A A集电极重复峰值电流Repetitive peak collector current?tP ?= 1 ms?ICRM?????? ???30??????????????A总功率损耗Total power dissipation?TC = 25°C, Tvj max ?= 175°C?Ptot????????130?????????????W栅极－发射极峰值电压 Gate-emitter peak voltage???VGES????? ???+/-20???????????V特征值 / Characteristic ?Values ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??min. ??? typ.??? ?max.集电极－发射极饱和电压Collector-emitter saturation voltageIC = 15 A, VGE = 15 V?????????????????????????????Tvj = 25°C ?IC ?= 15 A, VGE = 15 V???????????????????????????Tvj = 125°C IC = 15 A, VGE =15V???????????????????????????????Tvj = 150°C?VCE sat?1,852,152,252,25V VV栅极阈值电压Gate threshold voltage?IC = 0,48 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C?VGEth?5,2?5,8?6,4?V栅极电荷 Gate charge?VGE = -15 V ... +15 V?QG???0,12???μC内部栅极电阻Internal gate resistor?Tvj = 25°C?RGint???0,0???输入电容Input capacitance?f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V?Cies???0,89???nF反向传输电容Reverse transfer capacitance?f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V?Cres???0,03???nF集电极-发射极截止电流 Collector-emitter cut-off current?VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C?ICES?????1,0?mA栅极-发射极漏电流Gate-emitter leakage current?VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C?IGES?????400?nA开通延迟时间(电感负载)Turn-on delay time, inductive loadIC = 15 A, VCE = 600 V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??Tvj = 25°C VGE = ±15 V???????????????????????????????????????????????Tvj = 125°C RGon ?= 39 ????????????????????????????????????????????????Tvj = 150°C?td on??0,0550,0550,055??μsμsμs上升时间(电感负载)Rise time, inductiv