过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真.docxVIP

分类号： TN303；TN304.9 密级：天津理工大学研究生学位论文过渡金属氧化物阻变存储器动态特性的蒙特卡洛仿真（申请硕士学位）学科专业：微电子学与固体电子学研究方向：半导体材料与器件作者姓名：刘凯指导教师：张楷亮教授2013年1月Thesis Submitted to Tianjin University of Technologyfor the Master’s DegreeMonte Carlo Simulation on the Dynamic Characteristics of Transitional Metal Oxide Resistive Switching MemoryByKai LiuSupervisorProf. Kailiang ZhangJanuary, 2012交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得天津理工大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名：签字日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津理工大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权天津理工大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编，以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子文件。（保密的学位论文在解密后适用本授权说明）学位论文作者签名：导师签名：签字日期：年月日签字日期：年月日摘要随着集成电路工艺技术的发展，以FLASH存储器为代表的传统非易失性存储器在集成电路特征尺寸不断减小的情况下遇到越来越多的问题。新型非易失性阻变存储器(RRAM)因其表现出的特征尺寸可缩小性良好、存储单元结构简单、与现代半导体工艺相兼容等特点，引起国内外业界与学术界的广泛研究。RRAM器件工作过程中功能层的微观效应和阻变机理尚未完全明确，影响了RRAM器件的进一步研发与应用。本文中采用动力学Monte Carlo方法，首先对基于电化学原理的双极型RRAM的阻值变化过程进行了仿真，并根据功能层厚度等因素对RRAM器件的电特性进行了模拟和分析，从而完善了已有的双极型RRAM模型。在准确模拟阻变功能层转变过程的基础上，以RRAM器件二维尺寸变化为评价标准，分别从电学性质变化、参数均匀性变化和局域热效应的角度，对双极RRAM的工作性能变化进行了分析。从模拟结果可以看出，通过调整优化RRAM器件的二维尺寸，可以得到较为理想的器件性能，从而应用于未来的存储器生产中。其次，通过对一维氧空位模型电子占有率的计算，确定了基于VCM原理的RRAM器件中氧空位产生和复合发生的几率。运算所得到的氧空位电子占有率在代入二维动力学Monte Carlo模型后，对VCM原理的RRAM器件进行了电学转变过程的仿真。最后，为了同仿真结果进行对比讨论，验证建模仿真工作的准确性，制备了W/VOx/Cu阻变存储单元结构，从而以实验与建模仿真结合的方式对阻变存储器存储机理进行了探索。本文探讨了过渡金属氧化物RRAM在未来作为新一代非易失存储器的电学特性，尤其是工作过程中的动态特征，所得到的分析结果对将来RRAM器件的建模理论分析有一定的指导意义，并且对RRAM器件制备及应用也具有一定的指导意义。关键词：阻变存储器 电化学原理 Monte Carlo仿真 氧空位导电AbstractWith fast development of modern integrated circuit design and technology, conventional non-volatile memory such as FLASH memory is faced with more issues as it is reaching its physical limitation when critical dimension is scaling down. The emerging resistive RAM (RRAM) is attracting much attention from both manufactures and colleges for its great scalability, simple memory cell structure and good compatibility with IC process. However, the switching mechanism of RRAM device is not thoroughly studi