第19讲双极型晶体管精选.ppt

* * * uBE 反映发射电子的能力， uCE 反映收集电子的能力。 UCE 0V时，在相同的UBE下，IB大大减小，曲线右移 三极管输入特性也有一段死区。在正常工作下，NPN型硅管UBE=0.6~0.8V；PNP型锗管UBE= ?0.2~ ? 0.3V。 * * 饱和区：UCEUBE，βIBIC，UCE≈0.3V * * * 电工电子技术 1.6 双极型晶体管 半导体三极管是组成放大电路的核心元件，根据工作原理的不同分为双极型晶体管（Bipolar Junction Transister ,简称BJT）和场效应晶体管（Field-Effect Transistor，简称FET）两大类。 双极型晶体管工作时，多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应晶体管工作时只有一种载流子参与导电。前者习惯称为三极管或晶体管，后者称为场效应管。 1.结构示意图及有关术语 BJT管是由两个PN结构成的电子元件，其结构如图所示 collector emitter base c e b N P P+ PNP型电路符号 NPN型电路符号 即发射区 、基区 BJT管有三个掺杂区， 及集电区， 分别为发射结ej 和集电结cj。 由各区引出电极分别命名为 发射极e、 基极b 和集电极c。 根据各区的半导体材料的不同，还可如此排列， 两个PN结， 于是三极管就 NPN型和PNP型之分，其电路符号分别为： b c e b c e V（T） V（T） P N N+ 1.6.1 双极型晶体管的结构 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 集电区： 面积最大 1.6.2 三极管的电流放大（控制）作用 以NPN管共发射极接法为例 一、电流放大的概念 VCC RC IC UCE C E B UBE 输出 回路 输入 回路 公共端 VBB RB IB IE T VCCVBB 调节RB，观察IB、IC及IE的变化。 （2）IC ? IEIB （3）IB很小的变化引起IC很大的变化，即IC受IB控制 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 结论: （1）IE = IB + IC 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 二、电流控制原理 UBB RB IB IC UCC RC N P IE N 发射区向基区扩散电子 电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE 电子在基区的扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成IC EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB 综上所述，三极管具有电流控制作用必须满足以下所有条件： 1、外部条件 发射结正向偏置,集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 2、内部条件 （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 B E C N N P EB RB EC RC 三、电流关系 （1）电流放大系数α ICE= ?IE （2）电流方程 T作为广义节点 c点 IC=ICE + ICBO （2） b点 IB =IBE－ICBO （3） 发射结 IBE =IE－ICE （4） IE =IB + IC （1） + - + - R EB EC IC IE IBE ICE ICBO IB IE ?≈0.9～0.99。 （3）IC与IE的关系 又 IC＞＞ICBO 把ICE=?IE代入（2）得 IC= ?IE+ ICBO + - + - R EB EC IC IE IBE ICE ICBO IB IE 所以: 共基直流电流放大系数 （3）IC与IE的关系 + - + - R EB EC IC IE IBE ICE ICBO IB IE IC =? IB 的特点称为三极管的放大作用。但必须强调的是，这种放大并非能量放大，其实质为小电流控制大电流。可见三极管属电流控制电流（CCCS）元件。 共射直流电流放大系数 1.6.3 三极管的特性曲线 1. 三极管的连接组态 在介绍特性曲线之前，先介绍三极管连接组态问题。 所谓三极管的连接，就是将三极管接成二端