第1讲_模电基础讲解.pptVIP

在vGS=0 的情况下 , 当vDS | VP |时的漏极电流称为IDSS。 3.饱和漏电流IDSS vDS iD 0 A B C VP vGS=0 vGS=-1V vGS=-2V vGS=-3V vGS=-VP=-5V vGS=-4V IDSS) 饱和漏电流是耗尽型MOS管的参数。 MOS场效应管的主要参数 直流参数： 4. 直流输入电阻RGS 在漏源之间 短路的条件下,栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻。 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。 MOS场效应管的主要参数 直流参数： 1. 低频互导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: 交流参数： ②解析法：如增强型MOS管存在iD=Kn(vGS-VT)2 ① 图解法—gm实际就是转移特性曲线的斜率 gm=2Kn(vGS-VT) 恒流区 MOS场效应管的主要参数 2. 输出电阻rds 反映了vDS对iD的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率的倒数 ?=0，rds=? ≠ 0， rds =1/[ ? Kn(vGS-VT)2] =1/( ?iD) 恒流区 交流参数： MOS场效应管的主要参数 λ≠0，即场效应 管输出电阻有限时 小信号模型 MOS FET的特点 MOS FET是电压控制器件而BJT是电流控制器件。 MOS FET是利用多数载流子导电