第5章半导体器件基础(修改1)讲解.ppt

5.3.4 三极管的参数 晶体三极管的主要参数有三类：电流放大系数、极间反向电流和极限参数。 1．电流放大系数：表征三极管电流放大能力的参数。 由α和β的定义及三极管的电流分配关系，可得 2．极间反向电流：表征管子工作稳定性的参数。 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO 指发射结开路时，集电结的反向饱和电流。 ② 集电极-发射极反向饱和电流ICEO 指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。 ICEO 与ICBO 之间的关系为 3．极限参数：表征三极管安全工作要求的参数 ① 集电极最大允许电流ICM 指三极管共射电流放大系数β下降到正常值的2/3 时，集电极的电流IC ② 集电极最大允许功耗PCM 指集电结允许功率损耗的最大值 ③ 反向击穿电压 U（BR）CEO：指基极开路时，加在集-射之间的反向击穿电压。 U（BR）CBO：指发射极开路时，加在集-基之间的反向击穿电压。 U（BR）EBO：指集电极开路时，加在射-基之间的反向击穿电压。 1. 三极管的等效模型 ①当满足发射结反偏，集电结也反偏时 三极管工作在截止区，则有IB=IC=IE=0 共射输入端口和输出端口都相当于开路 ②当满足发射结正偏，集电结也正偏时 三极管工作在饱和区，则三极管共射输出电压UCE小于0.7V，深度饱和时为0.3V,因此在数字系统中看成是低电平。 5.3.6 含三极管的电路分析 ③当满足发射结正偏，而集电结反偏时 三极管工作在放大区，此时无论共射输出端口的电压UCE为多少，IC都不会随UCE变化而变化，IC只跟IB有关，即 IC=βIB 此时三极管的输出端口可等效为数值是IC的受控电流源 ①首先判断三极管的发射结的偏置状态 如果反偏，且集电极也反偏，就按照截止时的等效电路去求解待求量。 含三级管的电路分析方法： ②如果发射结是正偏的，结电压可根据材料不同做如下估算： 硅三极管：UBE≈0.7V 锗三极管：UBE≈0.3V 根据输入回路的KVL计算基极电流IB ③假设三极管工作在放大区，根据电流放大关系计算IC IC=βIB ④根据输出回路的KVL计算三极管的输出电压UCE，并根据计算结果判断三极管真实的工作状态，即 UCE0.7V 放大区 UCE0.7V 饱和区 ⑤根据三极管真实的工作状态，确定相应的等效电路，计算待求量。 工作在截止区时，三极管BE端口和CE端口都开路 工作在放大区时，三极管CE端口等效为数值是IC的恒流源 工作在饱和区时，三极管CE端口等效为短路（或数值为0.3V的恒压源） 【例5.9】试根据下图所示管子的对地电位，判断管子处于哪一种工作状态，是硅管还是锗管？ (a) (b) 解： （a）npn型三极管： 发射结正偏，集电结也正偏 三极管工作在饱和状态 （b）pnp型三极管： 发射结正偏，集电结反偏 三极管工作在放大状态 根据发射结正偏电压为0.7V，可知 三极管为硅管 根据发射结正偏电压为0.3V，可知三极管为锗管 【例5.10】在如图所示的电路中，已知VCC=12V，硅三极管的 ，饱和时UCE≈0，电阻Rb=47kΩ， Rc=3kΩ,当①UI= - 2V②UI= +2V③UI= +6V时，分别判断三极管的工作状态，并计算UCE的值。 解： ① UI = - 2V 时： 三极管发射结反偏，集电结也反偏 三极管工作在截止状态 此时，RC上无电流 因此： ② UI = +2V 时： 三极管发射结正偏，硅管正偏时 假设三极管工作在放大状态 再根据输出回路KVL 列输入回路KVL 则 可见，三极管就是工作在放大区。 因此 ③ UI = +6V 时： 三极管发射结正偏，硅管正偏时 假设三极管工作在放大状态 再根据输出回路KVL 列输入回路KVL 则 可见，三极管实际上工作在饱和区。 因此 本章要点 本征半导体和掺杂半导体 pn结及其单向导电性 二极管及其特性 含二极管的电路分析 三极管及其特性 含三级管的电路分析 章 节 内 容 5.1 半导体基础知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应管(略） 5.5 Multisim二极管应用电路分析（略） 半导体是指导电性介于良导电体与绝缘体之间的一种材料，常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓（GaAs）等。 半导体是制造电子器件的主要材料，在于它具有如下性质： 热敏性：导电性能受温度影响很大，可制成热敏电子元件； 光敏性：导电性能受光照射强度的影响很大，可制成光敏电子元件； 杂敏性：通过掺入其他微量元素物质，可以非常显著地提高其导电性能。 此外