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RF射頻濺鍍機介紹 射頻濺鍍機RF sputter)是一種薄膜製程儀器，適用於電機、機械、電子、光學、材料等研究領域。射頻濺鍍機基本原理乃根據離子濺射原理，當高能粒子通常是由電場加速的正離子衝擊到固體表面，固體表面的原子和分子在與這些高能粒子交換動能後，就從固體表面飛出來，此現象稱之為「濺射」。先利用電場使兩極間產生電子，這些加速電子會與中己預先充入的惰性氣體碰撞，使其帶正電，這些帶正電的粒子會受陰極靶材吸引而撞擊陰極，入射離子通常用氬氣受到電場作用獲得動量，撞擊靶材表面的原子，這些原子受到正電離子的碰撞得到入射離子的動量轉移，被撞擊的靶材表面原子因接受入射離子的動量，對靶材表面下原子造成壓擠使其發生移位，此靶材表面下多層原子的擠壓，會產生垂直靶材表面的作用力而把表面原子碰撞出去，這些被碰撞出去的原子沿途尚可將中性氬原子碰撞成帶正電，最後終於沉積在基板陽極上形成薄膜。 工科新館NE707 RF濺鍍機 NE707靶材 (截至2011/6/2為止，共14種) Gun 1(磁性槍): Fe, Fe(90%)/Co(10%), Ni, Ni(90%)/Fe(10%) Gun 2: Al, ITO, SiO2 Gun 3: Ag, Cu Gun 4: Au, Ti, Cr, TaAl, IrMn 試片規格與限制 4吋waferGlass , Silicon與非有機材“嚴禁”高分子類材 濺鍍機操作步驟與注意事項： 訓練並考核通過，並取得門禁許可與濺鍍機專用帳號/密碼。 PS.實驗室網頁下載並填寫 “考核表”，依表上規定進行訓練與考核。合格使用者聯絡資訊張貼於NE707門上。 預約時段→閱讀並遵守黑板上張貼最新公告→留意白板上靶材更換狀況。 填寫使用紀錄簿，點選電腦桌面捷徑軟體，登入帳號/密碼。 檢查機台狀況(全亮綠燈!)。 確定Gun與靶材位置對位(歸零)。 先確定腔門上的鎖解開後，再用N2破腔體真空。 使用異丙醇(IPA)與無塵布/紙搭配吸塵器清潔腔體。 拆下欲使用靶材上覆蓋的鋁箔保護紙，並依需求更換靶材(勿觸碰靶材表面以保持靶材潔淨!)，接著放置預鍍片與待鍍試片。 cf. 換靶材時，鎖或鬆開螺絲時要對角線執行! 鎖緊腔門鎖頭(以防腔體真空抽不下去!)，再行抽真空，此時機械幫浦(MP)自動啟動，當抽到約4*10-2T時會再自動切換到冷凍幫浦(CP)(務必確定MP→CP後才能離開，以防MP燒壞!)，等抽到5*10-6T才能進行濺鍍! 先手動解開安全互鎖，並確認其燈號停止閃爍!再依序選擇Gun與靶材。 設定並開啟M2馬達(自轉)轉速，打開所選擇靶材Gun Switch。 營造啟動電漿環境：通入Ar: 30sccm，腔體壓力: 30mT，確定機台下面板中的POS與APC的壓力都穩定後，方可點電漿! 設定各靶材所需製程參數值：Power vs. DC Bias。 開啟Power並打開Shutter，並觀察DC Bias值與電漿顏色是否正常! 等待參數條件穩定後，再將腔體壓力降到10 mT，並留意REF是否正常。 各靶材依表面氧化程度先預鍍15~30分鐘後，才濺鍍真正試片。 打完後先關Shutter，再緩慢降低Power至0才可關閉! 待所有製程結束後，依序關閉Ar閥門/流率、腔體壓力，並關Gun Switch。 確認腔體溫度低於40℃才關閉M2馬達，以防止轉動培林變形! 破真空取出/蓋上鋁箔保護紙於靶材上與拿出試片，並進行相關清潔。 抽腔體真空，務必等到MP→CP(相關閥門開/關)才能離開! 填寫完紀錄簿後從電腦登出，並關閉螢幕電源，電腦與機台電源不需關閉! 工科新館NE707 射頻濺鍍機操作流程 (新生專用精簡版) Update: 2011/6/2 - 1 -