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晶圆级封装（WLP） WLP简介 WLP基本工艺 WLP的研究进展和发展趋势 圆片级封装的优势 封装加工效率高，它以圆片形式的批量生产工艺进行制造； 具有倒装芯片封装的优点，即轻、薄、短、小； 圆片级封装生产设施费用低，可充分利用圆片的制造设备，无须投资另建封装生产线； 圆片级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行，这将提高设计效率，减少设计费用； 圆片级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中，中间环节大大减少，周期缩短很多，这必将导致成本的降低； 圆片级封装的成本与每个圆片上的芯片数量密切相关，圆片上的芯片数越多，圆片级封装的成本也越低。圆片级封装是尺寸最小的低成本封装。 圆片级封装技术的优势使其一出现就受到极大的关注并迅速获得巨大的发展和广泛的应用。在移动电话等便携式产品中，已普遍采用圆片级封装型的EPROM、IPD(集成无源器件)、模拟芯片等器件。圆片级封装技术已广泛用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD 驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/ 电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器) 等领域。 圆片级封装4M 工艺流程图 涂布第一层聚合物薄膜（Polymer Layer），以加强芯片的钝化层（Passivation），起到应力缓冲的作用。目前最常用的聚合物薄膜是光敏性聚酰亚胺（Photo-sensitive Polyimide），简称PI，是一种负性胶。 早期的WLP 选用BCB（Benzocyclobutene,苯并环丁烯）作为重布线的聚合物薄膜，但受制于低机械性能（低断裂伸长率和拉伸强度） 和高工艺成本（需要打底粘合层adhesion promoter）， 促使材料商开发PI 和PBO（Polybenzoxazole，聚苯并噁唑）。 重布线层（RDL）的目的是对芯片的铝焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。 常见的RDL 材料是电镀铜（plated Cu）辅以打底的钛、铜溅射层（Sputtered Ti/Cu）。 涂布第二层Polymer，使圆片表面平坦化并保护RDL 层。第二层Polymer经过光刻后开出新焊区的位置。 最后一道金属层是 UBM （Under Bump Metalization，球下金属层），采用和RDL 一样的工艺流程制作。 植球。顺应无铅化环保的要求，目前应用在WLP 的焊料球都是锡银铜合金。焊料球的直径一般为250μm。为了保证焊膏和焊料球都准确定位在对应的UBM 上，就要使用掩模板。焊料球通过掩模板的开孔被放置于UBM 上，最后将植球后的硅片推入回流炉中回流，焊料球经回流融化与UBM 形成良好的浸润结合。 凸点制作技术 凸点制作是圆片级封装工艺过程的关键工序,它是在晶圆片的压焊区铝电极上形成凸点。圆片级封装凸点制作工艺常用的方法有多种, 每种方法都各有其优缺点, 适用于不同的工艺要求。要使圆片级封装技术得到更广泛的应用, 选择合适的凸点制作工艺极为重要。在晶圆凸点制作中，金属沉积占到全部成本的50%以上。晶圆凸点制作中最为常见的金属沉积步骤是凸点下金属化层（ UBM）的沉积和凸点本身的沉积，一般通过电镀工艺实现。 电镀技术可以实现很窄的凸点节距并维持高产率。并且该项技术应用范围也很广，可以制作不同尺寸、节距和几何形状的凸点，电镀技术已经越来越广泛地在晶圆凸点制作中被采用，成为最具实用价值的方案。 圆片级封装的研究进展 标准WLP（fan-in WLP）是在晶圆未进行切片前，对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片的尺寸相同。 近几年开发出的扩散式WLP（fan-out WLP）则是基于晶圆重构技术，将芯片重新布置到一块人工晶圆上，然后按照与标准WLP 工艺类似的步骤进行封装，得到的封装面积要大于芯片面积。 不同的WLP 结构 第二种结构如图(b)所示，焊球置于在RDL 层上，并通过2 层聚合物介质层与Si 芯片相连，此种结构中没有焊点下金属层。两层聚合物层作为钝化和再布线层。这种结构不同于第一种结构，尽管两种结构均有再布线层。如图b所示，高分子介电薄膜层置于焊球和硅衬底。这种高分子层能够作为缓冲层来降低由于温度变化所引起的PCB 和硅的热失配产生的热-机械应力。这种WLP 结构能拓展到间距为0.5 mm 的12×12焊球阵列。 第三种WLP 结构如图(c)所示，是在图（b)结构的基础上，添加了UBM 层。由于添加了这种UBM 层，相应增加了制造成本。这种UBM 能稍微提高热力学性能。 图（d）所示的第四种WLP 结构，采用了铜柱结构，首先电镀铜柱，接着用环氧树脂密封。 扩散式W