地线干扰与接地技术.pptVIP

* * * * * 屏蔽电缆的效果与屏蔽层和电路的接地密切相关。特别是当外界干扰为磁场时，不同的连接方法效果大不相同。这组数据是在磁场中针对不同的接地结构试验获得的： 结构A：在信号线上套一个非磁性材料的屏蔽套，并且单点接地。对于磁场而言，当非磁性材料的屏蔽层单点接地时，信号回路中的磁场没有变化，因此磁场感应是相同的，即这种结构没有屏蔽效果。这种情况屏蔽效果定义为0dB，作为参考点。 结构B：将A中的屏蔽层两端接地。这时就能够提供一定的屏蔽效能了。因为由屏蔽层与地平面构成的环路中也感应了电流，这个电流产生了一个与原磁场相反的磁场，使信号回路中的磁场减弱，感应噪声减小。 结构C：双绞线本应提供较好的屏蔽效果（由于相邻绞节中感应的电流方向相反，相互抵消），但由于电路两端接地，实际的感应回路并不小，因此效果较差。 结构D：在双绞线上加了一个单端接地的屏蔽层，由于单端接地的屏蔽层对磁场没有屏蔽效果，因此并没有改善双绞线的屏蔽效能。 结构E：将屏蔽层两端接地后，同B一样，屏蔽层中的电流产生的反磁场削弱了原磁场，屏蔽效能有所提高。 说明：结构C是一种常见的错误，在实践中要避免。 结构F：电路只在单点接地，利用电缆的屏蔽层作为回流路径，大大减小了感应回路的面积，因此屏蔽效能大幅度提高。理想的同轴电缆回路面积为0，不会感应上任何噪声电压。实际同轴电缆的屏蔽效果取决于芯线与外层轴心的偏差。 结构G：双绞线由于具有很小的感应回路，并且相邻绞节中的感应电流对消，因此表现出较高的磁场屏蔽效果。实际的抑制效果比55更高，因为这里有些电场感应了进来。这从结构H可以看出。在结构H中，单端接地的屏蔽层抑制了电场感应，是屏蔽效果提高到70。 结构H：在G的基础上增加一个单端接地的屏蔽层，消除了（实验装置产生的附加）电场的影响。这里的屏蔽效果没有F高，是因为双绞线的回路面积没有同轴电缆的小。增加绞节密度可以进一步提高抑制效果。 结构I：将H中的屏蔽层两端接地后，导致屏蔽效能下降。这是因为屏蔽层两端接地后，在屏蔽层上产生了感应电流，这个电流在双绞线上感应出电流，由于电路不是平衡的，导致产生差模电压。 结构J：将H中的屏蔽层非接地的一端接到电路公共端，进一步提高了屏蔽效能，但没有达到F的水平，因为F中的电缆是同轴电缆，具有很小的感应回路。 问题：结构H的屏蔽效能比结构G提高了一些，这是因为单端接地的屏蔽层消除了实验装置产生的附加额外的电场，为什么结构D的屏蔽效能没有比结构C的屏蔽效能提高？ * * * * * * * 金属电化次序 阳极端（最易受腐蚀） 第一类 镁(Mg）； 第二类 铝(AL）或铝合金；锌(Zn);镉(Cd); 第三类 碳钢；铁(Fe)；铅(Pb）；锡(Sn）； 第四类 镍(Ni）;铬(Cr）;不锈钢; 第五类 铜(Cu);银(Ag);金(Au);白金(Pt);钛(Ti)。 阴极端(不易受腐蚀） 铆接及螺纹搭接 铆接有均匀、省时的优点，但其使用弹性不如以螺钉搭接，且防蚀能力不如熔接、软硬焊。铆接时铆孔应与铆钉紧密接合，铆孔边不得有油漆。 螺纹搭接时应注意垫圈材料的选择及安放位置，通常均戴垫圈(Load Distribution Washer)直接置于螺栓头（Bolt Head）或壳帽之下，而锁紧垫圈（Lock Washer）则应置于螺帽与均戴垫圈之间。此外，千万别将带齿锁紧垫圈置于两搭接金属之间。 注意 要有效地达到搭接的功能，应使搭接的金属紧密地连接，连接面应均匀、干净，其间不得有非传导性之物质。固定时应防止变形、震动、摇摆。应尽量将类似金属相搭接，不得已时可使用垫圈。应尽量使用直接搭接，若情况不许可时得使用搭接线，惟使用搭接线时应考虑： ·线之长度愈短愈好，电感电容比愈小愈好； ·线之电化次序应低于搭接物； ·长宽比应小于5； ·应直接与搭接物相接； ·不得使用自攻螺纹（Self-Tapping Screw）。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 为了减小地线电感，在高频电路和数字电路中经常使用多点接地。在多点接地系统中，每个电路就近接到低阻抗的地线面上，如机箱。电路的接地线要尽量短，以减小电感。在频率很高的系统中，通常接地线要控制在几毫米的范围内。 如前所述，多点接地时容易产生公共阻抗耦合问题。在低频的场合，通过单点接地可以解决这个问题。但在高频时，只能通过减小地线阻抗（减小公共阻抗）来解决。由于趋肤效应，电流仅在导体表面流动，因此增加导体的厚度并不能减小导体的电阻。在导体表面镀银能够降低导体的电阻。 通常1MHz以下时，可以用单点接地；10MHz以上时，可以用多点接地，在1MHz和10MHz之间时，可如果最长的接地线不