EDA第2章讲解.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1．RAM查找表 在SRAM查找表结构中输入变量作为地址用来从RAM存储器中选择数值，RAM存储器中预先加载进去要实现函数的真值表数值，因此可以实现输入变量的所有可能的逻辑函数。可以利用器件中相应结构的RAM寻址机构或分开的译码器由RAM的Q端输出选取它的输入数据。这个机构提供了有效的面积和可预测的延时，随输入变量数目的增加按比例改变。 2.4.1 功能单元 2．基于多路开关的功能单元 采用这种形式的功能单元是基于如下的考虑，即只要在多路开关的输入端放置输入的变量、反变量、固定的0和1等相应的组合，两输入变量的所有函数就可以由单个2选1的多路开关来实现。 2.4.1 功能单元 3．固定功能单元 此类功能单元提供单个固定的功能。单个固定功能有单级简单和严时短的优点，它的主要缺点是要求大量的功能单元才能实现用户设计的逻辑，而且相应功能单元的级联和布线的延时会导致整个性能的降低。 2.4.1 功能单元 可编程逻辑器件器件的功耗通常由所用的I/O引腿决定，当该芯片有较多的I/O引腿被利用时，必须考虑I/O配置的潜在功耗及I/O块的有效性。否则，因功耗问题很可能会熔化一个可编程逻辑器件芯片，特别是对于这些塑料封装的器件。 2.4.2 输入—输出焊盘 工艺线宽与供电电压的关系 布线资源是可编程逻辑器件中一种专用的内部互连结构，它主要用来提供高速可靠的内部连线，以保证信号在芯片内部的相邻功能单元之间、功能单元与I/O块之间进行有效的传输。可编程逻辑器件一般有以下几种基本的布线资源： 长线直接连线 通用内部连线 开关矩阵 2.4.3 布线资源 2.4.3 布线资源 长线直接连 2.4.3 布线资源 通用内部连线和开关矩阵 由于半导体工艺已进入到深亚微米（DSM）和超深亚微米（ VDSM）时代，器件的密度大大提高，所以新一代的FPGA都提供片内RAM。这种片内RAM的速度是很高的，读操作的时间和组合逻辑延时一样，大约为5ns，写操作的时间大约为8ns，比任何芯片外解决方式要快很多倍。新一代FPGA的片内RAM可以分为两类： 1．块式片内RAM 2．分布式片内RAM 2.4.4 片内RAM 可编程逻辑器件的编程元件采用了几种不同的编程技术，这些可编程元件常用来存储逻辑配置数据或作为电子开关。常用的可编程元件有如下四种类型： ◆ 熔丝（Fuse）型开关； ◆ 反熔丝（Antifuse）型开关； ◆ 浮栅编程元件（EPROM和EEPROM）； ◆ 基于SRAM的编程元件； 2.5 可编程逻辑器件的编程元件 熔丝型开关是最早的可编程元件，它由可以用电流熔断的熔断丝组成。在编程时，需要保持连接的节点保留熔丝，需要取除连接的节点烧掉熔丝，由最后留在器件内的不烧断的熔丝模式决定器件的逻辑功能。熔丝型开关的编程原理如图所示。 2.5.1 熔丝型开关 反熔丝开关主要通过击穿介质来达到连通线路的目的。这些开关元件在未编程时处于开路状态，编程时，在其两端加上编程电压，反熔丝就会由高阻抗变为低阻抗，从而实现两个极间的连通，且编程电压撤除后也一直处于导通状态。 2.5.2 反熔丝型开关 场氧化物 PLICE多晶硅 PLICE扩散 场氧化物 PLICE介质 1．EPROM EPROM的存储内容不仅可以根据需要来编制，而且当需要更新存储内容时还可以将原存储内容抹去，再写入新的内容。EPROM的基本结构是一个浮栅管，浮栅管相当于一个电子开关，当浮栅中没有注入电子时，浮栅管导通；当浮栅中没有注入电子后，浮栅管截止。 2.5.3 浮栅编程元件 2．EEPROM EEPROM也写成E2PROM，它是电可擦除电编程的元件。EEPROM 有多种工艺，也是基于浮栅技术。 2.5.3 浮栅编程元件 3.闪速存储器（Flash Memory） 闪速存储器是一种新的可再编程只读存储器，它把EPROM的高密度、低成本的优点与EEPROM的电擦除性能结合在一起，具有非常广阔的应用前景。闪速存储器与EPROM和EEPROM一样属于浮栅编程器件，其存储单元也是由带两个栅极的MOS管组成。 2.5.3 浮栅编程元件 SRAM是指静态存储器，大多数FPGA用它来存储配置数据，所以又称为配置存储器。它的基本单元是由5个晶体管组成的存储器。图2.32为SRAM的单元结构，它由两个CMOS反相器和一个用来控制读写的MOS传输开关构成，其中每个CMOS反相器包含了