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* * * 40-50 一台仪表只有一种控制规律，功能单一。 60年代 电子计算机，危险集中。 70年代 大规模集成电路，实现分散控制。 它是一个由过程控制级和过程监控级组成的以通信网络为纽带的多级计算机系统，综合了计算机(Computer)、通讯(Communication)、显示(CRT)和控制(Control)等4C技术，其基本思想是分散控制、集中操作、分级管理、配置灵活、组态方便。） * * * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * 又称带控制点的工艺流程图。 包括所有的管路，反应器，储罐，泵，换热器等化工设备,以及各种阀门等 PID * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1、PCS：自动化层，包括：先进控制软件、实时数据库技术，DCS、FCS等等。 2、MES：生产过程优化层，主要包括：流程模拟技术、先进计划与调度技术、实时优化、动态质量控制与管理等等 3、以ERP为基础的企业生产经营优化层：人事管理，产品质量管理，设备资源管理等等。 控制系统 操作站 工程师站 监控计算机 现场控制站 数据采集站 生产过程 现场总线控制系统FCS 工作站 服务器 网桥 现场数字传感器 现场执行传感器 现场数字控制功能模块 合同签订 设计联络会 工程设计 出厂测试 现场服务 售后服务 甲方 项目进度 控制要求 系统要求 界面要求 项目负责人 工艺负责人 仪表负责人 电气负责人 安装 电气安装代表 仪表安装代表 设计院 工艺主设 电气主设 自控主设 中控 项目经理 项目成员 准备 列席 准备 准备 测点清单 工艺说明 控制要求 接地要求 供电要求 布线要求 环境要求 逐项明确： 测点清单 控制要求 系统要求 界面要求 特殊要求 接地要求 供电要求 布线要求 环境要求 项目进度 培训安排 其他 END 自动化项目实施步骤 名称 位号 地址 备用（MCGS） #1罐液位 LT001 AIW0 VD500 加热炉出口温度 TT001 AIW2 VD200 阀位反馈 LVZ001 AIW4 VD300 设定值 MV AIQ0 VD600 调节器输出 VD400 调节器手/自动切换 M10.2 启停泵输入 I0.4 M10.0 启动 I0.5 M10.1 停止 启停泵输出 Q0.0 泵远程本地切换 I0.1 为1时远程（控制室）启动为0时本地启动 依据自动化仪表施工标准 供电检查 系统上电 通讯调试 操作小组 测试 静态控制方案测试 签署报告 静态卡件测试 静态特殊硬件测试 联动现场设备验证设备控制 联动现场设备验证联锁 联动现场设备验证回路 联动现场设备验证顺控 联动现场设备验证其他方面 投运 整理交工资料 签署投运验收报告 * * * * 半导体单晶硅材料在受到外力作用，产生肉眼根本察觉不到的极微小应变时，其原子结构内部的电子能级状态发生变化，从而导致其电阻率剧烈的变化，由其材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应叫压阻效应。人类是在本世纪五十年代才开始发现和研究这一效应的应用价值的。利用压阻效应原理，采用三维集成电路工艺技术及一些专用特殊工艺，在单晶硅片上的特定晶向，制成应变电阻构成的惠斯顿检测电桥，并同时利用硅的弹性力学特性，在同一硅片上进行特殊的机械加工，集应力敏感与力电转换检测于一体的这种力学量传感器，称为固态压阻传感器。 * * 扩散硅压阻式压力变送器包括半导体硅杯、电桥检测电路、信号放大电路和标准电流输出电路。由于扩散电阻用半导体扩散工艺制成，为消除应变电阻受温度的影响，往往将温度补偿电路和电桥电路集成在硅膜片上。这样不仅体积小，成本低，而且补偿元件和电阻敏感元件的温度一致性好，容易取得较好的补偿效果。 扩散硅压阻式压力变送器的测量元件结构比较简单。如图2.21所示。核心元件——硅杯是由两片研磨后胶合而成的杯状硅片组成。其上扩散电阻及其它集成电路外引线穿过基座上的玻璃状密封体引到转换电路。硅杯浸在工作液中，工作液一般为硅油，用以传递压力、隔离被测介质。硅油与被测介质间有金属隔离膜片隔开。被测压力引入变送器后，