4.7传输门基本特性.ppt

* 第四章 基本单元电路 4.7 传输门基本特性 僳佯花讥慧社桅酗蛔描手享东庚取脆包输涌宪封讳敌煮糠拣诊赚癣吮泳梁4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * MOS传输门逻辑电路 NMOS/PMOS传输门特性 CMOS传输门特性 传输门的级联 NMOS传输门的电平恢复 铭完咯拯叙躯骇宿犊悄袒捅籽殷少悟海副喜媒祭豹孩谊饯罢苔拼冈橡甫匠4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * MOS传输门结构 NMOS传输门 Pass Transistor 源、漏端不固定 双向导通 CMOS传输门 Transmission Gate NMOS,PMOS并联 源、漏端不固定 栅极接相反信号 两管同时导通或 截止 CMOS反相器 NMOS,PMOS串联 源端接固定电位、 漏端输出 栅极接相同信号 两管轮流导通或 截止 充烁研尹鸭裁馆拯拴刨浅档垄侄枯掣纂坝假疹鼎倘撞种软董逆婶仆蓄泡瞥4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS传输门传输高电平特性 源端 (G) (D) (s) VD=VG, 器件始终处于饱和区, 直到截止 （类似于饱和负载的特性） Vin=VDD,Vc=VDD 疙厩膳施跺烈缅垢逼蓉铭凸脯竹汐灰靡副颜斩锭祖吉鲤乖袭饼毯勃沸漓互4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS传输高电平 输出电压：有阈值损失 工作在饱和区，但是电流不恒定 衬偏效应 增加阈值损失 减小电流 低效传输高电平(电平质量差，充电电流小) Vin=VDD,Vc=VDD，Vout＝VDD－Vth 瘤丙摩老履寥蛀肢态雀疆孟续村旧新硒脚菜疾祷宿萍吉旦辖伐探涝地这耽4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS传输门传输低电平特性 漏端 (G) (s) (D) Hints:器件先处于饱和区，后处于线性区 （类似于CMOS反相器中 的NMOS管） Vin=0, Vc=VDD 僻嗓芍惫仙触嘛找散呛尚跺袱盅煎故哆澄晒轮庇溺者沿熔著瘩喀憎胸扔支4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS传输低电平 输出电压：没有阈值损失 先工作在饱和区，后进入线形区 没有衬偏效应 高效传输低电平 （电平质量好，充电电流大） Vin=0,Vc=VDD，Vout＝0 粪雨翁用泞躬叭姓纺脏谓郊虎清馏中巧聘围旬拓开苫参垂蓝群霍举面盈脏4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS传输高电平和低电平 由于工作状态不同，以及衬偏效应的影响 NMOS传输高电平过程的等效电阻近似为传输低电平时的2-3倍 卞淖艺犀砰毡远省知瘸骆咏颠颖篇贺虽蝉挝日禄笋浆脂障侮佩妇汛脸授扑4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * PMOS传输门传输特性 漏端 (G) (s) (D) 传输高电平情况 传输低电平情况 器件先处于饱和区， 后处于线性区 器件始终处于饱和区, 直到截止 睦么堕刮忙滩玻症碎龚嘉柄逆痹鼻择投健辱织辜晃阿诡谷捏就担辉松外哩4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * NMOS/PMOS传输门：RC延迟 沿用反相器部分的分析模型，宽度为W的PMOS导电因子为K，等效电阻为R0，漏电容为C0，并有迁移率2倍近似 如果负载电容只有传输管的漏电容，则宽度为W/2的NMOS的传输延迟： 多级串联的传输门可以根据集总或者elmore模型计算 厄溜他岿楔绚氛窒枚价寓霉尘台惭琳业江魄祷闭布瑟彦谴招宽董坎湍咕咏4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * 传输管（NMOS/PMOS传输门） 结构简单 有阈值损失 NMOS高效传输低电平，低效传输高电平 PMOS载流子迁移率小，NMOS传输门应用更多 珊符割炸尝橇殖取慢民区钉泊湍疏便髓擅泽拈获烂鬼冻擎怨眩啼串寓吃揽4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * MOS传输门逻辑电路 NMOS/PMOS传输门特性 CMOS传输门特性 传输门的级联 NMOS传输门的电平恢复 罪食聘池勉清碾蟹痹续议疫摈洪治隋俩苛迭衫示犀窿妇洁仔屯麓啊盾准绳4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * CMOS传输门传输高电平特性 传输高电平分为3个阶段： （1） NMOS和PMOS都饱和； （2） NMOS饱和,PMOS线性； （3） NMOS截止,PMOS线性。 榜簧捞肠酝辉足弗贴良冒作炔疆孝搅穗簇涕泽区苫拂腹汐预永民揖械代刽4.7传输门基本特性4.7传输门基本特性 * CMOS传输门传输低电平特性 传输低电平分为3个阶段： （1）