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射线专题讲座三 关于Se75射线照相 李伟 2005年4月于西安 一、se75射线源的特性 Se75(硒75)原子质量数为75,其原子核中含质子数为34,中子数为41,它是一种人工放射性同位素,由中子俘获反应所得. Se75的半衰期是120.4天,比活度1.45·104Ci/g. Kr常数为2.04R. ㎝2/h.mci.当量为0.24毫克镭/毫居里.Se75的平均能量为0.206MeV.主要能谱线有9根能量分别为0.066、0.097、0.121★ 、0.136★ 、0.199、0.265★、0.280★ 、0.304、0.401(MeV). 表1：最大活度与射源尺寸 二、se75射线源曝光量经验公式 试验表明,包含工件散射线的se75的半价层不是定值,随着透照厚度的增加半价层增大,其值大致从6.02mm增加到9.97mm.在实际工作中透照厚度在10mm以下时,半价层可选7mm;透照厚度在10mm以上时,半价层可选10mm,其精度能满足要求. 采用天津Ⅲ型胶片,底片黑度为2.7-2.9时的曝光公式 t = 0.04 F2 2TA T1/2 A 式中:A— 源活度 Ci T1/2 —半价层厚度 t — 曝光时间 F — 透照焦距 TA —透照厚度 三、s