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谱带形状与轨道的键合性质 I：非键或弱键轨道电子电离跃迁 II、III：成键或反键轨道电子电离跃迁； IV：非常强的成键或反键轨道电子电离跃迁； V：振动谱叠加在离子的连续谱上； VI：组合谱带； AB(X)：基态中性分子； AB+(X)：分子离子； AB(X) ? AB+(X) (最高轨道电离跃迁) AB(X) ? AB+(A) (次高轨道电离跃迁) 成键电子电离跃迁 AB(X) ? AB+(B) 反键电子电离跃迁 第一谱带I1：对应于第一电离能； 分子基态(0)?离子基态(0) 第二谱带I2：第二电离能；非键电子； 2.5.2 UPS仪器 与AES、XPS差别在于，探针为真空紫外区辐射。 光源：He或Ne气体放电管，产生的真空紫外光源，其能量小于100ev。 2.5.3应用 由于uv能量较小，只能激发价电子，特别适合于研究分子的价电子的情况。 对于清洁表面，UPS谱反映了价电子带的电子结构（状态密度），包含了材料表面状态和主体表层状态的信息。 如果表面上吸附了物质（物理吸附，化学吸附）都会使UPS谱发生较大变化，特别适合于研究吸附分子的定位信息，在催化机理及聚合物价带结构的研究方面有重要的应用。 思考题： 1．掌握AES、XPS、EDS和UPS的基本原理。 2．为什么UPS不适合于元素的定性分析 3．XPS和UPS各自的应用范围，特点？ 4．什么是化学位移，有何作用？ 5．了解O1s光电子、S2p光电子、Br　KL1L2俄歇电子　Ka射线、Kβ射线、Lα射线的含义。 2.2.4实验技术 1 样品制备： 导电的样品不需特殊处理， 导电性不好的样品需电镀解决荷电问题。 测定前需对样品进行表面清洁， 晶体解理暴露新裂开的晶面、离子溅射 粉末样品用胶带贴上或压片， 气态或液态样品用液氮冷冻。 2 Ar+离子溅射，不仅可以清洁表示，还可用于深度分析。 3 采样深度与俄歇电子的能量和材料有关， 一般金属为0.5－2nm， 无机物/有机物为1-3nm。 2.2.5应用 1 定性分析　 定性分析是根据直接谱或微分谱上负峰的位置进行元素的定性分析，与标准谱相对比，可在《俄歇电子谱上册》等资料中查到。测定时可以自动标出。 2 定量分析： 定量分析精不高，一般只能做半定量分析（精度仅为30%左右，适当的校正可以使精度达到5%左右）。但如果能正确估计俄歇电子的有效深度，则精度可提高，但总的说来，AES不是一种很好定量分析方法。 定量分析方法常用相对灵敏因子法（归一化法） ci—第i种元素的摩尔分数（相对值）；Ii——AES信号强度；Si——相对灵敏度因子（与Ag相比，可查到） Element O V Au Si Na Wt% 39.77 60.23 11.32 22.89 02.06 At% 67.76 32.24 01.74 24.66 02.71 通过表中V/O可以得知几乎接近1/2，可见通过以上工艺可成功的制得二氧化钒薄膜 由于俄歇电子能谱涉及到三个能级，任何变化都能引起俄歇电子能量的变化，因此AES的化学位移较大。 下图是TiO2薄膜/铝合金中不同深度的O 元素KLL俄歇电子的AES谱图， 509.2ev是TiO2中O的KLL俄歇电子的动能， 而Al2O3中O的KLL俄歇电子的动能是502.5ev，O的KLL向低能量变化，说明在TiO2与Al的界面上生成Al2O3、而Ti的俄歇电子能量在不同深度没有变化，则说明Ti都是TiO2形式存在，未与Al发生反应 元素的深度分析 AES深度分析是俄歇电子能谱最有用的功能之一，通常是采用Ar+离子溅射样品表面，在表面上剥离出一定深度，获得不同深度分析，常用500ev－5Kev离子束为溅射源。 1954年瑞典K. Sieghahn用x-ray激发光电子谱 研究原子轨道的有效方法 光电子能谱中有“化学位移”现象，为辨认原子所处化学环境提供依据 由于应用的研究领域是化学，因此这种方法也被称为化学分析用电子能谱（ESCA）。 1962年，英国伦敦帝国学院的D.W.Turner用真空紫外光源激发而产生的光电子能谱UPS, 由于真空紫外光的能量小于x-ray所以UPS更适合于研究价电子状态。 XPS的特点： a XPS是一种非破坏性的表面分析方法（电子、离子探针是破坏性的）； b 灵敏度高； c 适合于分析塑料、高聚物等； d 化学位移明确，用于化学形态的研究。 物质受到x-ray（或uv）的激发而产生光电子， 以Ne氖（1S22S22P6）为例 基态 激发态 光电子 按照爱因斯坦的光电效率定律** 式中