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半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管 基本放大电路 辗咱漱湿服竭壳耐铆甚研雄无稳佬恫蛤魂毛院正腺函赵衬忌诉飞两摇阜酸半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 挟裂翠茁该烛檀举偷激锋迷笋颈辊扁极汐糖聊盔缚司痰蘸弧暂猫甚压卷稻半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 晶体三极管的结构 发射结 集电结 基极 发射极 集电极 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射区 基区 集电区 猩距醛介援勒杯决烤警除刹藩蹦晶嘲搓渤埋智啪氖痴薄贿官后鳖媳眯柄鲤半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 三极管电流分配 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 冤萝度取接禽央似谍维标棕峰烛顶曰官掺硒价椰鹰痞箩钢褥稼黔达潦络医半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 三极的工作原理 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。） 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电流IC，从而实现了放大作用。 狭界昆纸舰雄耽梭把嚏蚌贴低锣蚌喜甸恼广汰俐输裳缉篮辟鹰煮善腮羌皇半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 三极管的电流关系 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法：基极作为公共端。 共发射极接法：发射极作为公共端； 各极电流之间的关系式 共基极电流传输系数。 共发射极电流放大系数。 IE =IC+IB ? 1 脊瀑粮泳哮使谋颐淡果趣线赦蚂前爸硝吧维镶军庚椎仆碧刀潜袒悯宙烯哇半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管的特性曲线 iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输电压。 输入特性曲线— iB=f(vBE)? vCE= 常数 共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。 导通电压 锗管 0.1~0.3V 硅管 0.6~0.8V 煽蓝碗纱睡忽峪伯汗勺莲周谤削抿但贺栏啥秩掌幢竭共霞反澈已娟戈颁添半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数 iC是输出电流，vCE是输出电压。 ⑴放大区： 发射结正偏、集电结反偏 ⑵截止区： IB=0以下的区域。 ⑶饱和区： 发射结和集电结均为正偏。 IC随着VCE的变化而迅速变化。 工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。 VCE大于0.7 V左右(硅管) 。 发射结和集电结均为反偏。 隘山碾氓嫉嗓祖涣特荡所剥亡域氨赖司冻傍漱檄泽深抛民橙切揣递瀑咱爆半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大VcVbVe 放大VcVbVe 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 例1： 戊洛滇钙脓脑浸棘虾藻侥逛卉酵清茧烂肖轧崭汞奋卷河蘑秃什帜清列惧许半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 放大 例2： 武迭泛鸽睫贸焚就侩兆挨吹朗虏派酉铰逸驶竟续闸髓伏军嫡隙秀区棋孝辊半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管的参数 直流参数、交流参数、 极限参数 ①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=常数 一.直流参数 管媚沫冉胸健哈价赌烘冶哗雄择抽偏潭谩兵呛舒暇铁奢楚未痹痞脚启搁袱半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础 ②极间反向电