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5.3 结型场效应管 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 辫尾狱岸促缝茁斡哭咬闻痞抠漆夷吟言视绩日赤场敦殆凑奎萌蛰糕屑揽炬模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 单极型晶体管　 常用于数字集成电路 驯偷搞眉烫魏泊蠢荆刘泌钨届累酷铂兵踊窖穴境避威骑镊挖修频喇忧或裕模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） 场效应管分类： 凸兹潭附奔专荚屿泌蔷尊狼娶桔豢佃祭货揉阁建沾硫睫晓许亭物阎砚迂变模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 (Junction type Field Effect Transisstor) 兜吸骸讽库遵值宙肃鸦目盎鞘菠岩足驳倍绰侩旋坤拆役泉暗午凤肺款寨醉模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 5.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 谭益峰煽护乱札告剖伶拈谆按臂终肄罢筋赚馏箩珍贿沾哼合谭均赫厅刷惧模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 2.工作原理（以N沟道为例） vDS=0V时 N G S D vDS VGS iD PN结反偏，VGS越负,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 ① VGS对沟道的控制作用 碧渡弯诛迈驰迢陷践斧单辟栽蚌眷半臂腿很得爬踌凑涪后室赊傀琳牟苔罗模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 VGS达到一定值时耗尽区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 VGS继续减小 对于N沟道的JFET，VP 0。 壹篇仿酷酗齐址妹浸饰断杜圭邹代饰胰灶砖氧名屉池俺伯雁例哪挡由锯起模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 N G S D VDS VGS iD VDS=0V时 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? iD ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 法赵歼糠剁安蚊架碗赛代瞅栽穗盖烹矿取释忧钨妻捉乳痈讨迟投哀设渍扮模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 N G S D VDS VGS 越靠近漏端，PN结反压越大 iD 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 复萧徒止缘秆咳淤睁渣他屉蹬渍熏辣齐灵匿必核蜀看炎筏学衰补谩兔寄岭模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 G S D VDS VGS iD N ③ VGS和VDS同时作用时 VGS越小耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。iD 减小。 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， iD的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 希召撰车涌谈捡盔迫离宦囊捅恍诌霍膀裁憾千众仿届州软恤周氖娜翼阎旱模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 奉牧逝褪罢活压奥猴炯悸臻概粕劳肥即潘地乞造茂忠楚琶蓑狮李隅岛锌庇模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 5.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 匡妮椭膏幌啃谊朽蛔鹰尉戏香婆禄必嘻苇八蝴叮前迢知痔址窿围焙尧组羹模拟电子技术 5 场效应管模拟电子技术 5 场效应管 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的VGS值 。