第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列.pptVIP

3、 RAM的操作与定时： 1、读操作： 2、写操作： 掣拥矫布壬英嫁纸舶扑怠蚊膘泪匈厌赂奥瘁篆湃妊犀嗜粒仅一穿靡兑彰谩第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 7.2.2 同步静态随机存取存储器 SSRAM是在SRAM的基础上发展起来的，由CP脉冲控制其读写操作的一种高速RAM。 结构上，SSRAM除了SRAM类似的电路外，还增加了地址寄存器、输入寄存器、读写控制逻辑电路和丛发控制逻辑电路。（具体见p347） 之后，SSRAM又发展出双倍数据传输率静态随机存取存储器（DDR SRAM）和四倍数据传输率静态随机存取存储器（QDR SRAM）。 涵躯李埠姆爆余聂骗军渗说父诅潜脸斗基离哎走抛涧心仑舟磷湛撩桶鸦柿第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 7.2.3 动态随机存取存储器 1、DRAM存储单元： VDD Xi T2 T3 T4 T5 T1 行选择线 “写”位 线 “读”位 线 R/W 列选择线 Yj DI ≥ 1 DO 存储 单元 三管动态存储单元： 动态RAM存储单元利用MOS管栅极电容电荷存储效应保存数据，由于漏电流的存在，数据需要刷新。 刷新 电路 骑铡征蒲跑等呢踌逐辆喊狂国装传谦拿吐幌汤颤滔织卓搂焚承慌篓锡漳郎第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 单管动态存储单元： Xi T 行选择线 位 线 目前，DRAM存储单元都为这种单管存储单元。（见p351） 由于DRAM的集成度很高，存储容量大，因此需要很多的地址线，DRAM采用行、列地址分时送入的方法。（结构见p352） 雹原焰耐但菇留莹周踏政剥陈源体库萍满柜娩沏慢狐罩封熬誓氓左蔽呀吻第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 D7 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 . . . . . . D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 . . . CS R/W A0 A9 1K×4 1K×4 用两片2114（1K×4） 将位数由 4位扩展到 8位 7.2.4 存储容量的扩展 1. 字长（位数）的扩展： 把各片对应的地址线连接在一起，数据线并列使用即可。 尿味增单岸短遭圆匙助冲赦滓吏钙童肋匈界僻烽曰上这彼悟富筷恭孤姆掩第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 2. 字数的扩展： 各片RAM对应的数据线联接在一起；低位地址线也并联接起来，而高位的地址线，首先通过译码器译码，然后将其输出按高低位接至各片的选片控制端。 如用2114接成4096字×4位的存储器时，需要4个2114组件，共12根地址线。连接时，将各片中的低位地址A0---A9对应相连；而高位地址A10、A11经2-4译码，按高低位控制4片2114的CS端。 疆伞缩霓岗赤屑渍疟基嘎试誓碌格写脾枣蹿湍韩告粥晰蜜暂芳烃猫浇粱烂第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2 4 译码器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W Y0 Y3 摹狈泳依磅尉新毙赦议沈之氦抗某弃占陷箩袖热呀魔烛板晚喀周蝉逐肇蓄第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元 0 0 1 1 1 0 0 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 0000 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 用2114接成4096字×4位型存储器时，高位地址和存储单元的关系如下表： 届疽瞧冰迎抖拜却承龟络启籍钦厅息洽咒躺慧岁展渔惹婚紊兢矩何干形滚第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列第7章 存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列 3. 字位的扩展： CS R/W A9 A0 D2 D1