第六章半导体界面问题概要.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 栅介质SiO2层的隧穿电流 Semiconductor Physics * * 热载流子注入（Injection of Hot Carrier） Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Physics * * §7 异质结 1、异质结的形成 由两种不同半导体材料组成的结，称为异质结。异质结的禁带宽度可能相同，也可能不同，我们主要讨论禁带宽度不同的情形。 异质结的形成通常是通过异质外延的方法制备的。经常形成超晶格结构，在半导体激光器和高迁移率晶体管（HEMT）领域有应用。 Semiconductor Physics * * 2、异质结的能带结构 异质结的能带结构与构成异质结材料的禁带宽度、禁带失调有关。设构成异质结材料的禁带宽度分别为Eg1Eg2。 禁带的失调可能有三种情形： 1）Eg2包含在Eg1之间，如Ga1-xAlxAs与GaAs ； 2）Eg1与Eg2禁带相互错开，如Ga1-xInxAs（下）和GaAs1-xSbx（上）； 3）二者没有共能量，如InAs（下）与GaSb（上） Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 3、异质结的应用 异质结的主要应用之一是形成量子阱。它由两个异质结背对背相接形成的。 异质结的主要应用之二是形成超晶格。它由异质结交替周期生长形成。超晶格是Esaki和Tsu在1969年提出的。 Esaki等提出的超晶格有两类：1）同质调制掺杂；2）异质材料交替生长。 超晶格或多量子阱间的共振隧穿效应 Semiconductor Physics * * 本章-书上第七章部分内容 √ §7.1 金属半导体接触及其能级图 §7.2 金属半导体接触整流理论 √ 整流作用的定性描述 2. 热电子发射理论 √热电子发射理论的结果 √4. 肖特基势垒二极管 书上第八章部分内容 √ §8.2 表面电场效应 √ §8.3 MIS结构的电容-电压特性 书上第九章部分内容 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Physics * * ★ 高频C-V特性 ? 表面积累,表面耗尽,高低频特性一样 ? VGVT, VS2VB, 表面强反型, 高频时,反型层中电子的增减跟不上频率的变化,空间电荷区电容呈现的是耗尽层电容最小值 ?MOS结构的电容也呈现最小值不再随偏压VG呈现显著变化 Semiconductor Physics * * 反型层电荷主要由少数载流子决定，在低频时，它随电场的变化而变化，反型电容起重要作用。当频率高于某一频率值时，反型层电荷（少子电荷）将不能交变信号，即少子的产生复合的速度跟随不上电场频率的变化，于是反型层电荷将不随交变电场变化，这意味着与反型层电荷相关的交变电容为0。 假设少子的响应时间由少数载流子产生－复合电流决定。 在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷的作用 Semiconductor Physics * * 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交变电压信号的频率高于100Hz时，反型层电荷将跟不上栅压的变化，只有耗尽电荷（多子行为）能够跟随电压信号的变化而变化，于是，Si电容只由耗尽层电容决定，由此确定的最小电容值发生在发生强反型的最大耗尽层厚度情形，表达式为： Semiconductor Physics * * Semiconductor Physics * * 图8-12 Semiconductor Physics * * ③ ③ Semiconductor Physics * * ★ 深耗尽状态 当偏压VG的变化十分迅速, 且其正向幅度大于VT , 则: 即使表面势VS2VB ,反型层也来不及建立, 耗尽层宽度随偏压幅度的增大而增