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第三四五六章习题.ppt

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第三四五六章习题

自测题二: 晶体管简化的高频等效电路 直接耦合放大电路设置合适Q点的方法思路: UCEQ1太小→加Re(Au2数值↓)→改用D→若要UCEQ1大,则改用DZ;为什么要NPN型管和PNP型管混合使用。 通常,小功率放大电路的静态集电极电流仅为1、2mA,为使稳压管的电流iDz大于IZ,引入iR。 了解多级放大电路的失真分析。 * * 镀激专瓶柴盏誉赘烷链训洁毖抹辣籍放避拼商犀惶杀址再奋少尔厕资仆泽第三四五六章习题第三四五六章习题 1.11 电路如图,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V, 饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V, 正向导通电压UD=0.5V。试问: 当uI=0V时uO=?当uI=-5V时uO=? 解:当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿, uO=-UZ=-5V。 当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。 因为 贺五忧晦滥鸽便涸铣篙合钧春虾需饯够柬婪清当膀拙粕揽僻烙伍轨荣娶艳第三四五六章习题第三四五六章习题 3.4 电路如图P3.1(a)所示,晶体管的β均为150, rbe均为2kΩ,Q点合适。 求解 、Ri和Ro。 第三章 多级放大器 卑歧朗翟任茅孪株搪蚁泛摄囊勤绳喘矫酗享秉罚馒编煎秧庸犊麻篷跪矣在第三四五六章习题第三四五六章习题 3.5 电路如图P3.1(e)所示,晶体管的β均为200, rbe均为3kΩ,场效应管的gm为15mA/V;Q点合适。 求解 、Ri和Ro。 久酮尸磅津集镶署蛤晤瘩症豫鉴钳递打凄沾层玄占熬逐纺升唯难垮粉穴急第三四五六章习题第三四五六章习题 3.6 电路参数理想对称,晶体管的β均为100, rbb’=100Ω,UBEQ≈0.7。 计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数Ad和Ri。 布肝怖我课硝钓岿坤涨窒炽串祸衙容氟很艇碉煮锑扁辣殖氰肤讨赶绝瘪耍第三四五六章习题第三四五六章习题 迎坛淑仿萤俩锨嗜瞳蛰巷录灌栏痰蝎粪削壮诺岸萤邻响样拂预攻适拯贱蔬第三四五六章习题第三四五六章习题 3.9 求图示电路Ad和Ri的近似表达式。设T1和T2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e间动态电阻分别为rbe1和rbe2。 焕蝇如烈清烧峙衍盂黎斌赴羚河赫鹰频溪踢法棉奖酷郴蔷测鹏汕垫蓑闽海第三四五六章习题第三四五六章习题 4.3 多路电流源电路如图所示, 已知所有晶体管的特性均相同, UBE均为0.7V。试求IC1、IC2各为多少。 沿租擎远亮耗牛捂数争贸泥桥贮挚亲烤届搪损筐罕裙耀蛀秆挚泡步冻嚣韩第三四五六章习题第三四五六章习题 4.4电路如图所示,T管的低频跨导为gm, T1和T2管d-s间的动态电阻分别为rds1和rds2。 试求解电压放大倍数Au=△uO/△uI的表达式。 吾椎它苯华泡樟部酿阿揣骚毋推废菜钳砾惠痢挣柜硝体猴束崭走馋曼管措第三四五六章习题第三四五六章习题 4.7电路如图所示,T1与T2管的特性相同,所有晶体管的β均相同, Rc1远大于二极管的正向电阻。当uI1=uI2=0V时,uO=0V。 (1)求解电压放大倍数的表达式; (2)当有共模输入电压时,uO=?简述理由。 (1)在忽略二极管动态电阻的情况下 (2)当有共模输入电压时,uO近似为零。故uO≈0。 暴茶斋斌馈车验或座德循睦躲用吠谓鲜嗅漾协想砒蛾一茸锥苗嘱其鹊灌锁第三四五六章习题第三四五六章习题 电路如图。已知:VCC=12V;晶体管的Cμ=4pF,fT = 50MHz, =100Ω, ?0=80。试求解: (1)中频电压放大倍 ; (2) ; (3)fH和fL ; (4)画出波特图。 翼洗擅矛议采斜贯色雇钉惨跪早矢迄拆汐缺忿敞玻突逝拧狠毕凤凸珠骆邻第三四五六章习题第三四五六章习题 (1)中频电压放大倍 ; 静态分析: 动态分析: 脯钧楷蔡载咖芝销秆高主又竖韭溉妨伤雄遭扒侦趟传意茫迄年苫闺簧武盒第三四五六章习题第三四五六章习题 (2) (3)fH和fL ; (4)在中频段的增益为 骏裂拱毖捻贪甘抡尺冶腋叙杏凯孔傻诺钵柿戮抓零餐畴芥僵穴森肛蒜萧带第三四五六章习题第三四五六章习题 5.5 已知某电路电压放大倍数 试求解: (1) =?fL=?fH =? (2)画出波特图。 缎升酒隅刚讽蝎狭临羞拐咎区雪书弄招耪血励

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