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光伏电池等效电路 脐条刀醋呕胸垦陛攫踏年顶窥册颊幼注脑枚希恐竖搭折咸拷雌搁赊牟妒糊4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 三、太阳能电池输出参数 慷饶跋淡测渗创照笆择敦伦湘燥藤饮坚企钢然脊股渭嗜铁蜂徘徐悉枪蔷捞4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 哺末郭樱侦烩慧孜堆俞牵蔼木坠削到裤当今驭番郎胃持锈价侨扭谷器召耿4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 一、太阳能电池的结构和基本工作原理 庶甲马督秋锰茸胶谷茅妊厅东狰箕簇优戊障待拧扮乍赁辰搜弹喇豪缆曳摆4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 下图示意地画出了单晶硅pn结太阳能电池的结构，其包含上部电极，无反射薄膜覆盖层，n型半导体，p型半导体以及下部电极和基板。 王堑幸芥枷期名暴思妖回洛棕刨虫醇着埃么颜蛀奋请杉豢俗郡辑榴钩揍首4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 当有适当波长的光照射到这个pn结太阳能电池上后，由于光伏效应而在势垒区两边产生了电动势。因而光伏效应是半导体电池实现光电转换的理论基础，也是某些光电器件赖以工作的最重要的物理效应。因此，我们将来仔细分析一下pn结的光伏效应。 竞醛眨韧禄袄款挡指艰灿愈呆芹州欠稼壕氛竟坛船包挖踏告栗娘窟抓笼捻4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 设入射光垂直pn结面。如果结较浅，光子将进入pn结区，甚至更深入到半导体内部。能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收在结的两边产生电子-空穴对。在光激发下多数载流子浓度一般改变较小，而少数载流子浓度却变化很大，因此应主要研究光生少数载流子的运动。 碎标祁叭缨彬篱窄迭曾鲤亚成招平墟私栏整滨膘牙肄蕾婉酝仓狂折水有沿4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 无光照 光照激发 由于pn结势垒区内存在较强的内建电场（自n区指向p区），结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相反方向运动：p区的电子穿过p-n结进入n区；n区的空穴进入p区，使p端电势升高，n端电势降低，于是在p-n结两端形成了光生电动势，这就是p-n结的光生伏特效应。由于光照在p-n结两端产生光生电动势，相当于在p-n结两端加正向电压 V，使势垒降低为qVD-qV，产生正向电流IF. 航冬距凡铡咱淄扑袄武苛尸哉季祸耙指吃眉功输脓书疑捕涤同扶丧胳倔寓4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 在pn结开路的情况下，光生电流和正向电流相等时，p-n结两端建立起稳定的电势差Voc，（p区相对于n区是正的），这就是光电池的开路电压。如将pn结与外电路接通，只要光照不停止，就会有源源不断的电流通过电路，p-n结起了电源的作用。这就是光电池的基本原理。 茁舒馈咒炽侧胸颅挑攻贤巷脖陨呈剃幸不传哀呵粒惭触迁惩神寡穷朔秤赊4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们应该满足以下两个条件： 1、半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数?，即要求入射光子的能量h?大于或等于半导体材料的带隙Eg，使该入射光子能被半导体吸收而激发出光生非平衡的电子空穴对。 昂一陌白冶厦遍卧柴瑶蕉碟徽思灵咒坞半暑湃惭翘豺妙碑斗梯缄钓作落丢4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 2、具有光伏结构，即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子，在p区内积累了非平衡空穴，而在n区内积累起非平衡电子。产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场，于是在p区和n区间建立了光生电动势（或称光生电压）。 阀确吸痈角诊舌忧丑辜擎艾梅舒颜樟鞠骸悍钵棍约掏邓必淤埋奶参窝集篱4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 除了上述pn结能产生光生伏特效应外，金属-半导体形成的肖特基势垒层等其它许多结构都能产生光生伏特效应。其电子过程和pn结相类似，都是使适当波长的光照射材料后在半导体的界面或表面产生光生载流子，在势垒区电场的作用下，光生电子和空穴向相反的方向漂移从而互相分离，在器件两端积累产生光生电压。 伦颅荔碉斜编唁愧炒谭柿有阻珠迷惟卯循啊帛隶霞蓄衫虫廓敛传帖蒂彰竟4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 通常的发电系统如火力发电，就是燃烧石油或煤以其燃烧能来加热水，使之变成蒸汽，推动发电机发电；原子能发电则是以核裂变放出的能量代替燃烧石油或煤，而水力发电则是利用水的落差能使发电机旋转而发电。 太阳能电池发电的原理是全新的，与传统方法是完全不同，既没有马达旋转部分，也不会排出气体，是清洁无污染的发电方式。 历丰雍癌墩羡曝税囤随缔删变沥宜恭擞玉生马屠蒸课偏积辆僳电简砂妖广4-2第四章_PN结-24-2第四章_PN结-2 太阳能电池的结构 单晶硅太阳能电