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11.8.1 单晶硅制备 超过98%的电子元件是使用单晶硅作用基础材料制备,在迅速发展的太阳能发电工程中,由于单晶硅材料有较高的光电转换率,因此也占据了重要的地位。单晶硅制备主要有两种方法:CZ,FZ。 CZ-直拉法,主要用于低功率集成电路、晶体管、太阳能电池等。其特点是容易实现单晶大直径化,设备和工艺巳比较成熟,该方法生产的单晶占硅单晶总量的85%以上。 FZ-悬浮区熔,用高频加热悬浮生长,能生产高阻、高纯、高寿命的高质量单晶,主要用于探测器,大功率可控整流元件,包括能使转换率超过20%以上的太阳能单晶。 晶体生长技术,它涉及到热力学、物理化学、流体动力学、结晶学和晶体缺陷理论,
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