WCSP封装介绍.pptVIP

WL-CSP封裝介紹 96.11.26 CSP (Chip Scale Package) 定義：球距(Ball pitch)小於1.0mm(通常為0.8mm、 0.75mm 、0.5mm)者稱之為晶片方度構裝(CSP)，而大於或等於1.0mm者稱為球格陣列構裝(BGA) CSP通常分成以下四種 硬式基板型(Rigid substrate)-像小型的BGA 軟式基板型(Flex substrate) 導線架型(Lead frame) 晶圓級(Wafer level) WL-CSP簡介 定義：直接在晶圓上進行大多數或是全部的封裝測試程序 傳統IC封裝與WL-CSP之比較 WL-CSP Turn-key flow RDL (重分佈技術) 大部分現有的WLCSP技術，均採用重分佈技術來進行錫鉛球的 間距加大，以達成加大錫鉛球體積需求，進而降低並承受來自於基板與元件間因熱膨脹差異產生的應力，增加元件的可靠性。 RDL流程 先在晶圓上塗佈高分子介電材料，目的在增加鈍化層(passivation)的強度 (第一層PI) Cu金屬層，建立原始Pad與重新分佈的位置作連接。 二次塗佈PI (Polymide) RDL流程 UBM(Under Bump Metallization)形成。多數以金屬濺鍍膜為主 形成UBM開口要的區域 錫鉛球形成 (須先上助焊劑在上