态密度gEdzdE能量E附近单位能量间隔内电子的量子状态数.pptVIP

态密度g(E)=dz/dE 能量E附近单位能量间隔内电子的量子状态数 态密度 Fermi能级 Fermi分布函数 根据量子统计理论，能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率f(E)为 Boltzman分布函数 导带上能量E的量子态被电子占据的概率为 价带上能量E的量子态被空穴占据的概率为 导带中电子的浓度 导带底电子的有效态密度，是温度的函数 导带中电子集中在导带底附近，其状态密度为Nc，导带中电子浓度为Nc中电子占据的量子状态数 价带顶空穴的有效态密度，是温度的函数 价带中空穴集中在价带顶附近，其状态密度为Nv，价带中空穴浓度为Nv中空穴占据的量子状态数 价带中空穴的浓度 浓度乘积 本征载流子浓度 对本征半导体： 本征载流子浓度： 对一定的半导体材料，ni随温度的升高而升高 对不同的半导体材料，在相同温度下，Eg越大则ni越小 本征Fermi能级 对本征半导体： 本征半导体的Fermi能级基本上在禁带的中线处 硅： 锑化铟：本征Fermi能级靠近导带底 掺杂半导体 n型半导体：Fermi能级在Ei上方，ND越大越靠近导带底 p型半导体：Fermi能级在Ei下方，NA越大越靠近价带顶 杂质能级 能级E上某个量子状态被电子占据和不被电子占据的概率分别为 施主能级ED和受主能级EA上的电子和空穴的浓度分别为 n型半导体的载流子浓度（只掺一种杂质） 低温弱电离区：温度很低，只有少量施主杂质电离 中间电离区：随着温度的升高，部分施主杂质电离 强电离区：温度到达一定值时，施主杂质几乎全部电离。此时载流子浓度为定值，因此，此区也称为饱和区 过渡区：随着温度升高，本征激发不可忽略。载流子一部分源于杂质电离，还有一部分源于本征激发 高温激发区：温度到达某个值时（极限温度），本征激发载流子浓度很大（远大于杂质电离提供的载流子浓度），此时，以本征激发为主，忽略杂质电离提供的载流子 低温弱电离区 本征激发可以忽略 只有少量施主杂质电离 T~0K时，lim(TlnT)~0，EF=(Ec+ED)/2，即Fermi能级在导带底和施主能级的中线处 随着T的升高，Fermi能级会怎样变化呢？？ 极值点在ln(ND/2Nc)=3/2，即Nc=0.11ND处 讨论： 当Nc0.11ND时，ln(ND/2Nc)3/2，即dEF/dT0，EF随T的升高而上升 当Nc0.11ND时，ln(ND/2Nc)3/2，即dEF/dT0，EF随T的升高而下降 在0K时，Fermi能级位于导带底和施主能级中线处； 随着温度的升高， Fermi能级上升，到极值处； 随后，随着温度的升高， Fermi能级下降。 中间电离区 本征激发忽略 只有部分施主杂质电离 随着温度升高，使得2NcND，则EF(Ec+ED)/2，即随着温度升高，杂质电离增多，Fermi能级下降 当EF=ED时，n+D=ND/3，即此时，只有1/3的杂质电离 强电离区（饱和区） 本征激发忽略 施主杂质全部电离 n0=ND EDEF，且ED-EFkBT，即Fermi能级位于ED下面 一般掺杂：Nc(1019)ND(1016)?EFEc T一定时，ND越大，EF越大，即EF向Ec靠近 ND一定时， T越大，EF越小，即EF远离Ec，向Ei靠近 重掺杂：NcND?EFEc Fermi能级进入导带区 过渡区 本征激发不可忽略 施主杂质全部电离 载流子由杂质电离和本征激发同时提供 n0=ND+p0 当ND/2ni较大时，EF距离Ei较远，向饱和区靠近 当ND/2ni较小时，EF距离Ei较近，即接近本征激发情况(向高温激发区靠近) 小结（n型）： ND一定时，随着T升高，载流子从杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程 Fermi能级从位于杂质能级附近逐渐靠近禁带中线附近 低温弱电离区：温度很低，只有少量施主杂质电离 中间电离区：随着温度的升高，部分施主杂质电离 强电离区：温度到达一定值时，施主杂质几乎全部电离。此时载流子浓度为定值，因此，此区也称为饱和区 过渡区：随着温度升高，本征激发不可忽略。载流子一部分源于杂质电离，还有一部分源于本征激发 高温激发区：温度到达某个值时（极限温度），本征激发载流子浓度很大（远大于杂质电离提供的载流子浓度），此时，以本征激发为主，忽略杂质电离提供的载流子 处在那个区？？ Ex. 9：已知300K硅, ND，Ec-ED=0.01ev，假设杂质全部电离，求EF, 并利用算出的EF来判断假设是否合理。 （已知Nc=2.8*1019） Exs. 7, 18, 19