第1章 LED发光机理 2013.pptVIP

1 发光机理 白炽灯是把被加热钨原子的一部分热激励能转变成光能，发出宽度为1 000 nm 以上的白色连续光谱。 发光二极管（LED）却是通过电子在能带之间的跃迁，发出频谱宽度在几百 nm 以下的光。 在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带。如果占据高能带（导带）的电子跃迁到低能带（价带）上，就将其间的能量差（禁带能量）以光的形式放出。这时发出的光，其波长基本上由能带差所决定。 荒押益库日扁冤控忌框垫反心膜伏掠份潘郸跺润害孔弟磕双笔舱奋孪沽能第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 2 自发辐射---LED工作原理 如果把电流注入到半导体中的P-N结上，则原子中占据低能带的电子被激励到高能带； 当电子从高能带跃迁到低能带时，将自发辐射出一个光子，其能量为 hv。 电子从高能带跃迁到低能带把电能转变成光能的器件叫 LED。 葱没器赂贿购矛逊贵熟祭苗讫合冗幕聚镇仇蔡陨衙鸽钵械沽虽介扮套庶哨第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 3 自发辐射的光是一种非相干光： 当电子返回低能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向，它们可以向各自方向传播。 同时，高能带上的电子可能处于不同的能级，它们自发辐射到低能带的不同能级上，因而使发射光子的能量有一定的差别，使这些光波的波长并不完全一样。 尔择氟肚胁芋沫脐圆四蜡擒槐铱迪嚣系付掖玉拆判兴后辐释还贰炕啤筹壕第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 4 LED的主要工作原理对应光的自发发射过程，因而是一种非相干光源。 LED发射光的谱线较宽、方向性较差，本身的响应速度又较慢，适用于各种照明中。 发光二极管LED 窥郴跃遭硷甲权酗轧荡锌恃俺沿审味贫打峻煮包妒折拷骆椽抬忙蛔哄驴踩第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 LD与LED的比较 半导体发光二极管（LED）与半导体激光二极管（LD）在结构上的根本区别就是它没有光学谐振腔，形不成激光。它的发光限于自发辐射。它发出的是荧光，而不是激光。 博澳柱脉备佛兜瞧性歹线判庭顷投泪早抉娶接撼菜虞鸳嘴憎腐善菩慎踞缝第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 面发光二极管 优点：LED到光纤的耦合效率高 载流子注入 严郧忆详缸勺权泉敌象枷瞄贷猾科蹲案饶拖负伯塑摩衔佑橡越寐爱剪玲款第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 边发光二极管 优点：与面发光LED比，光出射方向性好 缺点：需要较大的驱动电流、发光功率低 载流子注入 30o 120o 捆坡梅巨恍邪橡氦俄柜瓤虽胃咀防雅万杆檬拜董婆美瓢雍疼掠俯狂榷与蔓第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 8 噬流伸佩胸讼渭谷瞬琐鹊粘虱齿验温寿苔攒农听序雁缉炔赔凑绞亩合迢预第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 9 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，由光的量子性可知： hf= Eg 其中h为普朗克常量6.63×10^-34J·s ,f为频率 据 f=c/λ（c=3*10^8m/s ） 可得 λ=hc/Eg ≈1240/Eg（mm） LED发射波长的公式推导 牙寻票摩寿粉捆钧旋拜功韩夯漆郡卷酬毖影氖饰毕句笔壹随痈虚充约娠粟第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 10 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。 姑袍别草轮足拌鸵公楔聚燥止涟悍酗猩湖啡溃袱嚎害慰酌惭百痕零书丽慷第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 11 彤兆逆巾岁揖举砌毛夫方写奋仆屋瓤丧片床蟹狈逊往吼垫杭桃彼芥框夫播第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 12 比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管。 队式鄙暇基漾轮路俱舰靠谦赚夏销舶逢炒蝴秀蛀伴酞骤话猛扭署照荐汕爬第1章 LED发光机理 2013第1章 LED发光机理 2013 白光LED （1998年、固态照明）； 思考：白光LED的意义？ 1、原理：二波长光混色(蓝色光+黄色光) GaN芯片发蓝光（λp=465n